[发明专利]非易失性存储器件及其形成方法

说明书

与相关申请的交叉引用

本申请要求于2006年10月20日提交的韩国专利申请号No.2006-102406的优先权，通过引用将其全部内容包括在这里。

技术领域

在此公开的本发明涉及一种半导体器件，并且更具体地，涉及一种非易失性存储器件及一种形成该器件的方法。

背景技术

通常，半导体存储器件包括当其电源被切断时可能丢失存储信息的易失性存储器件和即使在不供电时也可以保持存储信息的非易失性存储器件。

闪速存储器件是非易失性存储器件，通常包括单元阵列区和外围电路区。在单元阵列区中形成接地选择晶体管和串选择晶体管，以及在接地选择晶体管和串选择晶体管之间布置多个单元晶体管。在外围电路区中布置低压晶体管和高压晶体管。在接地选择晶体管的一侧布置公共源极线，以及在串选择晶体管的一侧布置位线接触件，并与其上的位线电连接。在外围电路区中布置电连接到低压晶体管和高压晶体管的接触件、焊盘和线。

由于闪速存储器件可以包括布置在单元阵列区和外围电路区中的许多接触件、焊盘和线，因此闪速存储器件的制造工艺可能是复杂的。

发明内容

本发明的一些实施例提供形成非易失性存储器件的方法以及由该方法形成的非易失性存储器件。根据本发明的一些实施例的方法可以提供非易失性存储器件的简化制造工艺。

本发明的一些实施例提供非易失性存储器件，其包括具有单元区、低压区和高压区的衬底。接地选择晶体管、串选择晶体管以及单元晶体管位于单元区中，低压晶体管位于低压区中，以及高压晶体管位于高压区中。公共源极接触件位于接地选择晶体管的杂质区上，以及第一低压接触件位于低压晶体管的杂质区上。位线接触件位于串选择晶体管的杂质区上，以及第一高压接触件位于高压晶体管的杂质区上。位线位于位线接触件上。第一层间绝缘层位于衬底上，以及第二层间绝缘层位于第一层间绝缘层上。公共源极接触件和第一低压接触件可以延伸到第一层间绝缘层的高度，以及位线接触件和第一高压接触件可以延伸到第二层间绝缘层的高度。

在一些实施例中，该存储器件还可以包括公共源极接触件上的公共源极焊盘。公共源极焊盘可以将公共源极接触件电连接到相邻的公共源极接触件。该存储器件还可以包括第一低压接触件上的第一低压焊盘。第一低压焊盘和公共源极焊盘可以位于第一层间绝缘层上。该存储器件还可以包括第一低压焊盘上的第二低压接触件和第二低压接触件上的第二低压焊盘。第二低压接触件可以延伸到第二层间绝缘层的高度，以及第二低压焊盘可以位于第二层间绝缘层上。

在其他实施例中，该存储器件还可以包括低压晶体管的栅极上的低压栅极接触件，以及高压晶体管的栅极上的高压栅极接触件。该低压栅极接触件和高压栅极接触件以及公共源极接触件可以延伸到第一层间绝缘层的高度。该存储器件还可以包括低压栅极接触件上的低压栅极焊盘，以及高压栅极接触件上的高压栅极焊盘。低压栅极焊盘、高压栅极焊盘以及公共源极焊盘可以位于第一层间绝缘层上。该存储器件还可以包括低压栅极焊盘上的第二低压栅极接触件，以及第二低压栅极接触件上的第二低压栅极焊盘。该第二低压栅极接触件可以延伸到第二层间绝缘层的高度，以及该第二低压焊盘和位线可以位于第二层间绝缘层上。该存储器件还可以包括第一高压焊盘上的第二高压接触件和第二高压接触件上的第二高压焊盘。该第二高压接触件可以延伸到第二层间绝缘层的高度，以及该第二高压焊盘和位线可以位于第二层间绝缘层上。

在另一些实施例中，该存储器件还可以包括第一高压接触件上的第一高压焊盘。该第一高压焊盘可以位于第二层间绝缘层上。该存储器件还可以包括高压晶体管的栅极上的高压栅极接触件，以及该高压栅极接触件上的高压栅极焊盘。该高压栅极接触件可以延伸到第一层间绝缘层的高度，以及该高压栅极焊盘可以位于第一层间绝缘层上。

本发明的一些实施例提供了在衬底上形成非易失性存储器件的方法，该衬底包括单元区、低压区和高压区。该方法包括在单元区中形成接地选择晶体管、串选择晶体管以及单元晶体管，在低压区中形成低压晶体管，以及在高压区中形成高压晶体管。该方法还可以包括在接地选择晶体管的杂质区上形成公共源极接触件，以及在低压晶体管的杂质区上形成第一低压接触件。在串选择晶体管的杂质区上形成位线接触件，以及在高压晶体管的杂质区上形成第一高压接触件。在该位线接触件上形成位线。