[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置包括：

半导体基体，

异质半导体区域，其由带隙与所述半导体基体的半导体材料不同的半导体材料制成，并被配置成与所述半导体基体结合形成异质结，

栅极绝缘膜，其被配置成与所述半导体基体和所述异质半导体区域之间的所述异质结接触，

栅电极，其被配置成与所述栅极绝缘膜接触，

源电极，其被连接到所述异质半导体区域，以及

漏电极，其被连接到所述半导体基体，

所述制造方法包括：

通过使用特定的掩膜材料，以自对齐的方式形成：

用于所述源电极的源极接触孔，以及

所述栅电极。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述栅电极和所述源极接触孔之间形成绝缘区域。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

通过氧化所述栅电极的一部分形成所述绝缘区域。

4.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述绝缘区域的形成工序包括以下子工序：

在所述栅电极的侧面沉积绝缘膜，以及

各向异性地蚀刻所述绝缘膜，以在所述栅电极的侧面形成所述绝缘区域。

5.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括：

在作为所述栅电极的基材的栅电极层上形成第一层间绝缘膜层，以及

通过将所述栅电极层和所述第一层间绝缘膜层的图案分别形成为特定形状，来形成所述栅电极和第一层间绝缘膜，

其中

所述绝缘区域的形成工序包括：

在所述栅电极的侧面和所述第一层间绝缘膜上沉积第二层间绝缘膜，

各向异性地蚀刻所述第二层间绝缘膜，以在所述栅电极的侧面形成所述绝缘区域。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括：

将杂质导入杂质导入区域，所述杂质导入区域是所述异质半导体区域的一部分，以及

由此在所述源电极和所述异质半导体区域之间形成源极接触区域，所述源极接触区域的电阻比所述异质半导体区域的电阻低。

7.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括：

将杂质导入杂质导入区域，所述杂质导入区域是所述异质半导体区域的一部分，以及

由此在所述源电极和所述异质半导体区域之间形成源极接触区域，所述源极接触区域的电阻比所述异质半导体区域的电阻低，以及

与所述绝缘区域的形成工序基本同时地激活所述杂质。

8.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述栅电极的形成工序之后，在所述掩膜材料被去除之前进行所述杂质的导入工序。

9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述栅电极的形成工序之后，在所述掩膜材料被去除之前进行所述杂质的导入工序。

10.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述源极接触孔的形成工序使用干法蚀刻。

11.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述栅电极是由从包括多晶硅、单晶硅以及多晶碳化硅的组中选择的材料制成的。

12.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体基体是由从包括碳化硅、金刚石以及氮化镓的组中选择的材料制成的。

13.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述异质半导体区域是由从包括单晶硅、多晶硅以及非晶硅的组中选择的材料制成的。