[发明专利]电子元件、使用其的半导体器件以及制造电子元件的方法有效
| 申请号： | 200710182106.8 | 申请日： | 2007-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN101136383A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 原田惠充;青柳哲理;浅见博 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子元件 使用 半导体器件 以及 制造 方法 | ||
1.一种电子元件，包括：在其中形成有暴露部分垫电极的开口的钝化层；形成在所述垫电极和钝化层上的下金属层；以及形成在所述下金属层上用于外部连接电极的隔离金属层，所述电子元件还包括：
配置在所述开口的外部或/和内部的隔离金属层下面的凹槽或/和突起，所述下金属层形成在所述凹槽或/和突起上并具有与所述凹槽或/和突起相一致的表面形状。
2.如权利要求1所述电子元件，
其中，所述凹槽或/和突起在所述开口的整个外围或/和内周形成。
3.如权利要求1所述电子元件，
其中，所述凹槽或/和突起由提供在所述垫电极外围的图案形成。
4.如权利要求3所述电子元件，
其中，所述凹槽由所述垫电极和形成在所述垫电极外围的导电图案之间的间隙形成，并呈环状。
5.如权利要求3所述电子元件，
其中，所述突起形成在所述垫电极内周上的钝化层上，并呈环状。
6.如权利要求3所述电子元件，
其中，所述凹槽形成在所述垫电极内周上的钝化层上，并呈环状。
7.如权利要求1所述电子元件，
其中，所述钝化层通过高密度等离子体方法在其上包括凹槽的区域上形成。
8.一种半导体器件，包括：
根据权利要求1至7的任一项所述的电子元件，该电子元件经由所述外部连接电极外连接到所述半导体器件。
9.一种制造电子元件的方法，包括：形成具有暴露部分垫电极的开口的钝化层的步骤，在所述垫电极和钝化层上形成下金属层的步骤，和在所述下金属层上形成用于外部连接电极的隔离金属层的步骤，所述方法还包括：
在所述开口外部或/和内部的隔离金属层下形成凹槽或/和突起；以及
在所述凹槽或/和突起上形成所述下金属层，以便所述下金属层具有与所述凹槽或/和突起相一致的表面形状。
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