[发明专利]编程多阶存储单元存储阵列的方法

权利要求书

1、一种在一电荷捕捉存储单元阵列中操作一选定存储单元的方法，其特征在于，该选定存储单元包含一第一电荷捕捉位置与一第二电荷捕捉位置，该第一电荷捕捉位置与该第二电荷捕捉位置可编程为不同的多个阈值电压，包括一低阶层阈值电压与一高阶层阈值电压，该方法包含：

在该选定存储单元中，将该第一电荷捕捉位置编程为对应于该低阶层阈值电压范围，该编程过程包含应用一第一编程机制，该第一编程机制可将该第一电荷捕捉位置的一阈值电压设定在一低于该低阈值电压范围的阶层，该编程过程还包含应用一第二编程机制，该第二编程机制可将该第一电荷捕捉位置的该阈值电压，设定于该低阶层阈值电压范围之内；以及

在该选定存储单元中，将该第二电荷捕捉位置编程为对应于该高阶层阈值电压范围，该编程过程包含应用该第一编程机制，该第一编程机制可将该第二电荷捕捉位置的一阈值电压，设定于该高阶层阈值电压范围之内。

2、根据权利要求1所述的在一电荷捕捉存储单元阵列中操作一选定存储单元的方法，其特征在于，在将该第一编程机制应用于该第二电荷捕捉位置之后，该方法进一步包括：

检查该第二电荷捕捉位置的该阈值电压是否位于该高阶层阈值电压范围之内，如果没有位于该高阶层阈值电压范围之内，则应用该第二编程机制，将该第二电荷捕捉位置的该阈值电压，设定在该高阶层阈值电压范围之内。

3、根据权利要求1所述的在一电荷捕捉存储单元阵列中操作一选定存储单元的方法，其特征在于，在该选定存储单元中，在编程该第一电荷捕捉位置之前，先编程该第二电荷捕捉位置。

4、根据权利要求1所述的在一电荷捕捉存储单元阵列中操作一选定存储单元的方法，其特征在于，用以编程该第一与该第二电荷捕捉位置的该第一编程机制，包含依据一第一编程偏压安排施加脉冲，以移动选定的该第一与该第二电荷捕捉位置的其中之一的该阈值电压，以及检查该阈值电压是否满足一第一编程验证目标，如果不满足，则反复施加一脉冲并进行检查，直到该选定电荷捕捉位置的该阈值电压满足该第一编程验证目标，该方法更包含：

利用用以编程该第一电荷捕捉位置的该第一编程机制，通过将该第一编程验证目标设定为低于该低阶层阈值电压范围的一数值，来编程该第一电荷捕捉位置，以及

利用用以编程该第二电荷捕捉位置的该第一编程机制，通过将该第一编程验证目标设定为该高阶层阈值电压范围内的一数值，来编程该第二电荷捕捉位置。

5、根据权利要求4所述的在一电荷捕捉存储单元阵列中操作一选定存储单元的方法，其特征在于，该第一编程机制的该第一编程偏压安排，包含固定一字线电压，以及在相继的步骤中，将一位线电压阶梯化上升。

6、根据权利要求1所述的在一电荷捕捉存储单元阵列中操作一选定存储单元的方法，其特征在于，该第二编程机制包含依据一第二编程偏压安排施加脉冲，以移动选定的该第一与该第二电荷捕捉位置的其中之一的阈值电压，以及检查该阈值电压是否满足一第二编程验证目标，如果不满足，则反复施加一脉冲并进行检查，直到该选定电荷捕捉位置的该阈值电压满足该第二编程验证目标，该方法更包含：

利用用以编程该第一电荷捕捉位置的该第二编程机制，通过将该第二编程验证目标设定在该低阶层阈值电压范围内的一数值，以编程该第一电荷捕捉位置。

7、根据权利要求6所述的在一电荷捕捉存储单元阵列中操作一选定存储单元的方法，其特征在于，该第二编程机制的该第二编程偏压安排，包含固定一位线电压，以及在相继的步骤中，将一字线电压阶梯化上升。

8、根据权利要求2所述的在一电荷捕捉存储单元阵列中操作一选定存储单元的方法，其特征在于，该第二编程机制包含依据一第二编程偏压安排施加脉冲，以移动选定的该第一与该第二电荷捕捉位置的其中之一的该阈值电压，以及检查该阈值电压是否满足一第二编程验证目标，如果不满足，则反复施加一脉冲并进行检查，直到该选定电荷捕捉位置的该阈值电压满足该第二编程验证目标，该方法更包含：

利用用以编程该第一电荷捕捉位置的该第二编程机制，通过将该第二编程验证目标设定在该低阶层阈值电压范围内的一数值，以编程该第一电荷捕捉位置，以及

利用用以编程该第二电荷捕捉位置的该第二编程机制，通过将该第二编程验证目标值设定在该高阶层阈值电压范围内的一数值，以编程该第二电荷捕捉位置。