[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在衬底上形成的DRAM单元，所述DRAM单元具有与位线和电容器连接的晶体管，所述电容器具有下电极、电介质膜和上电极；以及

在衬底上形成的SRAM单元，所述SRAM单元具有交叉耦合连接，

其中所述交叉耦合连接包括在所述电介质膜和连接位线的插栓层之间形成的层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中SRAM单元的所述交叉耦合连接与DRAM单元的所述位线是相同的层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中SRAM单元的所述交叉耦合连接与连接DRAM单元的下部电容的插栓接触部是相同的层。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中SRAM单元的所述交叉耦合连接与DRAM单元的下部电容是相同的层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中SRAM单元的交叉耦合连接的电阻比在DRAM单元的上电极之上使用的金属配线的电阻高。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中SRAM单元的交叉耦合连接的电阻比在DRAM单元的上电极之上使用的金属配线的电阻高。

7.根据权利要求3所述的半导体器件，其中SRAM单元的交叉耦合连接的电阻比在DRAM单元的上电极之上使用的金属配线的电阻高。

8.根据权利要求4所述的半导体器件，其中SRAM单元的交叉耦合连接的电阻比在DRAM单元的上电极之上使用的金属配线的电阻高。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中DRAM单元具有堆叠型结构。

10.根据权利要求2所述的半导体器件，其中DRAM单元具有堆叠型结构。

11.根据权利要求3所述的半导体器件，其中DRAM单元具有堆叠型结构。

12.根据权利要求4所述的半导体器件，其中DRAM单元具有堆叠型结构。

13.一种半导体器件，其中混合安装了DRAM和SRAM，所述半导体器件包括：

在DRAM区域中形成的晶体管；

与晶体管相连的电容接触部和位线；

与电容接触部相连的电容元件；

在SRAM区域中形成的连接在电源和地电源之间的第一负载晶体管和第一驱动晶体管；

在SRAM区域中形成的连接在电源和地电源之间的第二负载晶体管和第二驱动晶体管；

第一交叉耦合连接，在第一负载晶体管和第一驱动晶体管的扩散层之间进行连接，在与电容接触部、位线和电容元件之一相同的层中形成；以及

第二交叉耦合连接，在第二负载晶体管和第二驱动晶体管的扩散层之间进行连接，在与电容接触部、位线和电容元件之一相同的层中形成。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，还具有逻辑电路，所述逻辑电路包括：包括最下的金属层的第一配线层、在第一配线层上形成的第一绝缘层、在第一绝缘层上形成的第二配线层、在第二配线层上形成的第二绝缘层、以及在第二绝缘层上形成的第三配线层，

其中所述第三配线层形成为跨越SRAM单元，并且所述第三配线层比SRAM的最上层更靠上。

15.一种半导体器件，包括：

具有第一区域、第二区域和第三区域的衬底；

形成于第一区域上的DRAM；

形成于第二区域上的SRAM；以及

形成于第三区域上的逻辑，

其中所述DRAM和所述逻辑具有：包括最下的金属层的第一配线层、在第一配线层上形成的第一绝缘层、在第一绝缘层上形成的第二配线层、在第二配线层上形成的第二绝缘层、以及在第二绝缘层上形成的第三配线层，

其中所述第三配线层形成为跨越第二区域，并且所述第三配线层比SRAM的最上层更靠上。