[发明专利]垂直磁性记录介质无效

专利信息
申请号: 200710185184.3 申请日: 2007-11-01
公开(公告)号: CN101178906A 公开(公告)日: 2008-05-14
发明(设计)人: 荒井礼子;铃木博之;清水正义 申请(专利权)人: 日立环球储存科技荷兰有限公司
主分类号: G11B5/66 分类号: G11B5/66;G11B5/64
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 李涛;钟强
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 垂直 磁性 记录 介质
【权利要求书】:

1.一种垂直磁性记录介质,包括:

基片;

软磁底层,形成在所述基片上方;及

垂直记录层,形成在所述软磁底层上方;

其中,所述软磁底层包括包含Fe作为主要成分的第一软磁层、包含Fe作为主要成分的第二软磁层、及在所述第一软磁层与所述第二软磁层之间布置的反铁磁性耦合层;并且

其中,所述反铁磁性耦合层由Ru-Fe合金形成,并且Fe含量是从40at%至75at%。

2.根据权利要求1所述的垂直磁性记录介质,其中,在所述反铁磁性耦合层中的Fe含量是从50at%至75at%。

3.根据权利要求1所述的垂直磁性记录介质,其中,所述第一软磁层和所述第二软磁层是非晶体的。

4.根据权利要求1所述的垂直磁性记录介质,其中,所述第一软磁层和所述第二软磁层是微晶的。

5.一种垂直磁性记录介质,包括:

基片;

软磁底层,形成在所述基片上方;及

垂直记录层,形成在所述软磁底层上方;

其中,所述软磁底层包括包含Fe作为主要成分的第一软磁层、包含Fe作为主要成分的第二软磁层、及在所述第一软磁层与所述第二软磁层之间布置的反铁磁性耦合层;

其中,所述反铁磁性耦合层由Ru-Fe-Cr合金形成,并且Fe含量是从40at%至75at%。

6.根据权利要求5所述的垂直磁性记录介质,其中,所述反铁磁性耦合层的Cr含量是从5at%至10at%。

7.一种垂直磁性记录介质,包括:

基片;

软磁底层,形成在所述基片上方;及

垂直记录层,形成在所述软磁底层上方;

其中,所述软磁底层包括包含Fe作为主要成分的第一软磁层、包含Fe作为主要成分的第二软磁层、及在所述第一软磁层与所述第二软磁层之间布置的反铁磁性耦合层;

其中,所述反铁磁性耦合层由Ru-Fe-Co合金形成,并且Fe含量是从40at%至75at%。

8.根据权利要求7所述的垂直磁性记录介质,其中,所述反铁磁性耦合层的Co含量是从5at%至10at%。

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