[发明专利]垂直磁性记录介质

说明书

技术领域

本发明涉及一种垂直磁性记录介质，并且具体地涉及一种适于高密度磁性记录的垂直磁性记录介质。

背景技术

在最近几年，因为小尺寸和大容量的磁盘不仅安装在个人计算机中而且也安装在例如家用电气产品中，所以强烈地需要磁性记录设备的容量的增加并且要求记录密度的改进。在已经用力进行磁头、磁性记录介质等等的开发的同时，记录系统的主流已经从平面内磁性记录系统过渡到垂直磁性记录系统，并且记录密度的进一步改进已经成为可能的。在垂直磁性记录介质中，已经知道，通过使用具有软磁底层的两层垂直磁性记录介质可改进来自磁头的记录磁场的效率，并且这可解决记录膜的矫顽力的增大。

对于软磁底层，与记录层的饱和磁通密度相比必须形成高饱和磁通密度(Bs)的软磁材料以便循环来自磁头的记录磁场，并且相应地，由软磁底层导致的噪声已经引起问题。噪声的主要原因可归因于来自在软磁层中形成的磁性壁的泄漏磁场，并且至今已经研究了抑制磁性壁形成的方法或减小泄漏磁场的方法。

例如，如在专利文件1和专利文件2中公开的那样，已经提出了一种在软磁底层与基片之间布置硬磁钉扎层由此在一个方向上对准软磁底层的磁化、或如在专利文件3中公开的那样一种通过与反铁磁性交换耦合同时使得磁自旋的方向对准而抑制在软磁底层中磁性壁的运动的方法。而且，如在专利文件4中公开的那样，已经提出一种用由非磁性层彼此分离的两个或多个软磁层构成软磁底层并且对于非磁性层使用Ru从而反铁磁性地交换耦合两个软磁底层的方法。彼此反平行对准的堆叠软磁层较少产生来自磁性壁的泄漏磁场，可抑制尖峰噪声或记录磁化的去磁而无需磁畴控制层，还改进杂散磁场的稳定性。专利文件5描述到，因为磁通通过使磁矩在反铁磁性耦合的两个非晶体软磁层之间相等而在层之间循环，这具有用来抑制尖峰噪声和再现信号的振幅调制的重大效果，并且这通过在第一非晶体软磁层和第二非晶体软磁层的径向方向上提供单轴各向异性以减小矫顽力可提供改进抵抗杂散磁场的稳定性的效果。而且，专利文件5描述到，在非晶体软磁层之间起作用的反铁磁性耦合可通过将非磁性层制成放在Co系铁磁层之间的夹层结构、或通过将RuCo或RuFe用于非磁性层而加强。

[专利文件1]JP-A No.7-129946

[专利文件2]JP-A No.11-191217

[专利文件3]JP-A No.6-103554

[专利文件4]JP-A No.2001-155321

[专利文件5]JP-A 2005-302238

发明内容

如以上描述的那样，用于软磁底层的材料不受特别的限制，只要它具有高Bs，提供有在盘基片的径向或圆周方向上的单轴各向异性，并且表面平面度优良，至今已经使用了包括Co或Fe作为主要成分的非晶体合金。然而，最近已经产生垂直磁性记录介质的软磁底层遭受腐蚀的问题，并且已经发现，腐蚀尤其易于在使用Co合金的情况下发生。由于Co合金抗腐蚀性不优良，并且在水溶液的情况下具有极为碱性的电位，所以它们相对于相邻中间层遭受原电池腐蚀(在不同种类金属之间的腐蚀)。由于熟知作为中间层的Ru或Ru合金因为它们是贵金属而具有极高的电位，并且在它们两者之间的电位差高达约1.0V，所以Co合金的腐蚀通过除对于单个元素的腐蚀之外的原电池腐蚀而被极大地加速。另一方面，F系合金具有比较高的电位，尽管它们的抗腐蚀性与Co合金的抗腐蚀性差别不大，并且即使当它们与Ru邻近时也很少引起原电池腐蚀。

如以上描述的那样，利用Ru非磁性层来分离两个软磁性层并且反铁磁性地交换耦合它们的方法极为有效，因为这消除了由软磁底层导致的噪声。用来使软磁层的交换耦合最大化的Ru非磁性层的优化厚度依据软磁层的材料而不同。在对于软磁性层使用Co合金的情况下，Ru的优化膜厚度是约1nm，而在使用Fe合金材料的情况下，优化膜厚度薄达0.4nm。而且，在对于软磁层使用Fe合金材料的情况下，由于交换耦合磁场对于Ru膜的厚度的依赖性与以后要描述的使用Co合金的情况相比较大，所以用于膜厚度的裕量较窄，并且从批量生产看来其控制困难。

鉴于以上，本发明打算提供一种不降低软磁底层的交换耦合磁场、对于插入在软磁底层之间的非磁性层的膜厚度的控制容易及软磁底层的耐腐蚀性也优良的磁性记录介质。