[发明专利]半导体模块及便携设备有效

专利信息
申请号: 200710185789.2 申请日: 2007-12-28
公开(公告)号: CN101286500A 公开(公告)日: 2008-10-15
发明(设计)人: 今冈俊一;大塚健志;泽井彻郎 申请(专利权)人: 三洋电机株式会社
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L23/552;H01L23/48
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 模块 便携 设备
【说明书】:

技术领域

本发明涉及半导体模块,尤其是,涉及积层有多个电路元件的半导体模块及搭载半导体模块的便携设备。

背景技术

近年来,作为实现电子设备所使用的电路装置的小型化、高功能化的封装技术,公知有通过层积混合载置多个电路元件的多级堆栈结构(多片封装)。但是,这种多级堆栈结构的电路装置存在如下问题,即,例如将形成有模拟电路的电路元件和形成有数字电路的电路元件积层而混合载置时,在具有高速运行的数字电路的电路元件上产生的高频噪声(具有高频成分的噪声)向具有易受噪声影响的模拟电路的电路元件传播,对具有模拟电路的电路元件的运行造成阻碍。由此,导致电路装置的运行不稳定且其可靠性降低。

作为这种噪声传播的对策,公知有诸如在形成有模拟电路的半导体芯片(具有模拟电路的电路元件)与形成有数字电路的半导体芯片(具有数字电路的电路元件)之间插入保持在接地电位的传热导电体(金属板),由此,遮挡电路元件间的噪声传播。

另外,还公知有在电磁辐射源(具有数字电路的电路元件)的外缘部用金属布线设置天线回路(天线),通过使电磁辐射源产生的多余辐射(噪声)被天线回路吸收,对来自电磁辐射源的噪声传播进行抑制。

但是,在专利文献1公开的方法中,由于从具有数字电路的电路元件向金属板传播的噪声(尤其是具有高频成分的噪声)而在金属板的面内产生电位变动。在该电位变动经金属板传播到接地布线(接地点)之前的期间,该电位变动作为噪音而向位于传播路径上的具有模拟电路的电路元件传播。

另外,在专利文献2公开的方法中,虽然将具有数字电路的电路元件和具有模拟电路的电路元件平置成同一平面状的结构行之有效,但即使将外缘部设有天线的电路元件积层而形成多级堆栈结构,仍然无法有效地抑制电路元件间在垂直方向上的噪声。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而作出的,其目的在于提供一种能够将积层后的电路元件间的噪声传播进行适当地抑制的半导体模块。

为了解决上述课题,本发明的半导体模块具有:第1电路元件;导体部,其设于第1电路元件的上层,起到环形天线的作用;第2电路元件,其在导体部的上层积层。

根据本发明,由于在第1电路元件与第2电路元件之间设有起环形天线作用的导体部,能够由该导体部来吸收并遮挡第1电路元件与第2电路元件之间噪声的传播。因此,能够有助于半导体模块运行的稳定化并可提高其可靠性。

在上述结构中,导体部以如下的方式重叠配置在第1电路元件与第2电路元件之间为好,即,自上向下看,将第1电路元件和第2电路元件重合的共同区域的至少一部分遮蔽。由此,以通过导体部将第1电路元件与第2电路元件之间因在垂直方向(上下间)上的距离(间距)最近而在电路元件间极易受到噪声影响的共同区域进行遮蔽的方式进行重叠配置,故而能够由导体部将各电路元件产生的噪声更加可靠地吸收并遮挡。

在上述结构中,导体部也可以以如下的方式重叠配置,即,将第1电路元件和第2电路元件的至少一方局部具有的、成为噪声发生源的电路区域选择性覆盖。此时,因导体部以将成为易产生强烈影响的噪声发生源的电路区域选择性地覆盖的方式重叠配置,故而能够将来自具有这样的电路区域的电路元件的噪声传播更加可靠地遮挡。

在上述结构中,导体部也可以在超出第2电路元件的外缘位置具有外缘。由此,能够由导体部的超出第2电路元件外缘的部分进行散热,并可降低(抑制)因噪音吸收而产生的导体部的温度上升。因此,能够将导体部作为环形天线的性能特性稳定化,并能够稳定地遮挡噪声的传播。

在上述结构中,通过导体部的环形天线的谐振作用,使第1电路元件与第2电路元件之间的噪声传播衰减为好。由此,能够更为有效且更为可靠地抑制电路元件间的噪声传播。

在上述结构中,导体部在该导体部所形成的环形天线的馈电点处还连接有无源元件为好。此时,通过对与导体部连接的无源元件的特性进行控制,能够对吸收并遮挡的噪声的频率及频带进行调整,可更为有效地降低噪声传播。

在上述结构中,通过导体部及无源元件的谐振作用,使第1电路元件与第2电路元件之间的噪声传播衰减为好。由此,能够更加可靠地降低电路元件间的噪声传播。

在上述结构中,导体部也可以具有螺旋形状。

本发明的另一方面提供一种便携设备。该便携设备可以搭载有上述任一方面的半导体模块。

附图说明

图1是表示第1实施方式的半导体模块的结构的剖面图;

图2是第1实施方式的半导体模块的平面图;

图3是表示第1实施方式的插入式基板的结构的剖面图;

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