[发明专利]显示元件及其制造方法

权利要求书

1.一种显示元件的制造方法，包括：

提供一基板，该基板具有一薄膜晶体管区、一像素区、一栅极线区与一数据线区；

依序形成一透明导电层与一第一金属层于该基板上；

图案化该透明导电层与该第一金属层，以分别于该薄膜晶体管区、该像素区、该栅极线区与该数据线区的末端内形成一导电叠层，其中该导电叠层包括该透明导电层与该第一金属层；

依序形成一第一绝缘层与一半导体层于该基板上，并覆盖该导电叠层；

图案化该第一绝缘层与该半导体层，以于该薄膜晶体管区的该导电叠层上形成一图案化第一绝缘层与一图案化半导体层；

形成一第二金属层于该基板上，并覆盖该图案化半导体层与该导电叠层；

形成一第一光致抗蚀剂层于该第二金属层上；

以该第一光致抗蚀剂层为掩模图案化该第二金属层与该第一金属层，其中在该薄膜晶体管区中形成一沟道；以及

对第一光致抗蚀剂层进行热回流，使部分的该第一光致抗蚀剂层保护该沟道。

2.如权利要求1所述的制造方法，其中该图案化第二金属层和该沟道被热回流后的该第一光致抗蚀剂层所覆盖。

3.如权利要求1所述的制造方法，其中该第一光致抗蚀剂层为一有机材料。

4.如权利要求1所述的制造方法，其中图案化该第二金属层与该第一金属层的该步骤，是于该像素区暴露出部分的该透明导电层作为一像素电极。

5.如权利要求1所述的制造方法，其中该图案化第一绝缘层以及该图案化半导体层是由同一道掩模工艺所形成。

6.如权利要求1所述的制造方法，其中图案化该第二金属层与该第一金属层的该步骤，使该栅极线区与该数据线区的末端分别暴露出部分的该透明导电层，以作为一接垫。

7.如权利要求1所述的制造方法，还包括形成一图案化欧姆接触层于该图案化半导体层表面。

8.如权利要求1所述的制造方法，还包括：

形成一图案化第二绝缘层于该图案化半导体层上；以及

进行一磷化氢处理以于该薄膜晶体管区的该图案化半导体层上形成该一图案化欧姆接触层。

9.如权利要求8所述的制造方法，其中形成该图案化第一绝缘层、该图案化半导体层与该图案化第二绝缘层的方法是通过一半调式掩模工艺、一灰调式掩模工艺或通过不同曝光能量的两张掩模工艺。

10.如权利要求8所述的制造方法，其特征是形成该图案化第一绝缘层、该图案化半导体层以及该图案化第二绝缘层的方法包括：

在形成该第一绝缘层与该半导体层之后，形成一第二绝缘层于该半导体层上；

形成一第二光致抗蚀剂层于该薄膜晶体管区的该第二绝缘层上，其中该第二光致抗蚀剂层具有一第一光致抗蚀剂区块以及位于该第一光致抗蚀剂区块两侧的一第二光致抗蚀剂区块，且该第一光致抗蚀剂区块的厚度大于该第二光致抗蚀剂区块；

以该第二光致抗蚀剂层为掩模对该第二绝缘层、该半导体层与该第一绝缘层进行一第一蚀刻工艺，以形成该图案化第一绝缘层与该图案化半导体层；

减少该第二光致抗蚀剂层的厚度，直到该第二光致抗蚀剂区块被完全移除；以及

以剩余的该第一光致抗蚀剂区块为掩模对该第二绝缘层进行一第二蚀刻工艺，以形成该图案化第二绝缘层。

11.如权利要求10所述的制造方法，其中减少该光致抗蚀剂层厚度的方法包括进行一灰化工艺。

12.如权利要求1所述的制造方法，还包括形成一电容于该基板的一电容区上。

13.如权利要求12所述的制造方法，其特征是形成该电容的步骤包括：

在图案化该透明导电层与该第一金属层时，同时形成一电容导电叠层于该电容区，其中该电容导电叠层包括该透明导电层与该第一金属层；

在图案化该第一绝缘层与该半导体层时，该图案化第一绝缘层与该图案化半导体层同时形成于该电容导电叠层上；以及

在图案化该第二金属层与该第一金属层时，同时形成一第二金属电容图案于该电容区的该图案化半导体层上。

14.如权利要求13所述的制造方法，还包括形成一图案化欧姆接触层于该图案化半导体层表面。