[发明专利]氮化物类半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物类半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成具有向第一方向延伸的光波导的氮化物类半导体层的工序；

沿与所述光波导延伸的所述第一方向交叉的第二方向进行第一分割的工序；

在与所述基板的形成有所述氮化物类半导体层的一侧相反的一侧的表面，且在与向所述第二方向延伸的基于所述第一分割的分割面间隔规定距离的区域，通过照射激光形成向所述第一方向延伸的元件分割用沟槽的工序；和

通过沿所述元件分割用沟槽进行第二分割来形成氮化物类半导体元件的工序。

2.如权利要求1所述的氮化物类半导体元件的制造方法，其特征在于：

所述基板具有向所述第一方向延伸、且在所述第二方向上按规定的间隔设置的多个缺陷集中区域。

3.如权利要求2所述的氮化物类半导体元件的制造方法，其特征在于：

在所述基板上形成具有向第一方向延伸的光波导的氮化物类半导体层的工序，包括在向所述第一方向延伸的邻接的所述缺陷集中区域之间至少形成2个所述光波导的工序，

在所述基板上形成元件分割用沟槽的工序，包括在所述缺陷集中区域以及所述光波导之间的中央形成所述元件分割用沟槽的工序。

4.如权利要求3所述的氮化物类半导体元件的制造方法，其特征在于：

从邻接的所述光波导之间的中央到所述光波导的距离为从所述缺陷集中区域到所述光波导的距离以下的长度。

5.如权利要求2所述的氮化物类半导体元件的制造方法，其特征在于：

在所述基板上形成具有向第一方向延伸的光波导的氮化物类半导体层的工序，包括在向所述第一方向延伸的邻接的所述缺陷集中区域之间至少形成1个所述光波导的工序，

在所述基板上形成元件分割用沟槽的工序，包括以与在所述光波导的两侧设置的所述缺陷集中区域对应的方式形成所述元件分割用沟槽的工序。

6.如权利要求1所述的氮化物类半导体元件的制造方法，其特征在于：

在所述基板上形成所述元件分割用沟槽的工序，还包括形成所述元件分割用沟槽，使所述元件分割用沟槽具有在所述第一方向的所述光波导的端面间距离的5分之1以上的长度的工序。

7.如权利要求1所述的氮化物类半导体元件的制造方法，其特征在于：

还包括在与所述基板的形成有所述氮化物类半导体层的一侧相反的一侧的表面上形成第一电极层的工序，

形成所述元件分割用沟槽的工序包括在从所述第一电极层侧到所述基板内部的深度来形成所述元件分割用沟槽的工序。

8.如权利要求2所述的氮化物类半导体元件的制造方法，其特征在于：

进行所述第一分割的工序，包括：

至少在所述半导体氮化物类半导体层的包含所述缺陷集中区域、但不包含所述光波导的区域，通过照射激光，以向所述第二方向延伸的方式形成设置在每个所述缺陷集中区域的虚线状的劈开用沟槽的工序；和

通过沿所述劈开用沟槽进行劈开而形成谐振器面的工序。

9.如权利要求8所述的氮化物类半导体元件的制造方法，其特征在于：

以向所述第二方向延伸的方式形成虚线状的所述劈开用沟槽的工序，包括形成所述劈开用沟槽以使所述劈开用沟槽具有在所述第二方向的所述氮化物类半导体元件的宽度的1/20以上的长度。

10.如权利要求8所述的氮化物类半导体元件的制造方法，其特征在于：

形成所述劈开用沟槽的工序，包括在从所述氮化物类半导体层侧到所述基板内部的深度形成所述劈开用沟槽的工序。

11.如权利要求8所述的氮化物类半导体元件的制造方法，其特征在于：

还包括在所述氮化物类半导体层上形成所述第二电极层的工序，

形成所述劈开用沟槽的工序包括在没有形成所述第二电极层的区域的所述缺陷集中区域形成所述劈开用沟槽的工序。

12.如权利要求1所述的氮化物类半导体元件的制造方法，其特征在于，还包括：

在进行所述第一分割工序、和通过进行所述第二分割形成氮化物类半导体元件的工序后，通过熔融粘接层将所述氮化物类半导体层侧或所述基板侧的任意一侧安装在散热基台上的工序。