[发明专利]氮化物类半导体元件及其制造方法

说明书

相关申请的交叉参考

本申请基于日本专利申请JP2006-323582和JP2007-283225，在此引用其内容作为参考。

技术领域

本发明涉及一种氮化物类半导体元件及其制造方法，尤其涉及包括形成元件分割用沟槽的工序的氮化物类半导体元件及其制造方法。

背景技术

历来，已知有包括形成元件分割用沟槽的工序的氮化物类半导体元件的制造方法。例如在日本专利特开2005-136093号公报中公开有这种氮化物类半导体元件的制造方法。

在上述日本专利特开2005-136093号公报中公开有一种包括以下工序的半导体元件的制造方法：在GaN基板上形成具有脊形(ridge)部(光波导)的半导体层的工序；通过沿规定的方向进行劈开来形成激光谐振器条的工序；使用划线针(金刚石针)等从半导体层侧在激光谐振器条上形成元件分离沟槽(元件分割用沟槽)的工序；和通过沿元件分离沟槽分割激光谐振器来形成半导体激光元件的工序。

但是，在日本专利特开2005-136093号公报中提出的现有的半导体元件的制造方法中，由于使用划线针(金刚石针)等从半导体层侧在激光谐振器条上形成元件分离沟槽(元件分割用沟槽)，所以在形成元件分离沟槽时，存在因使划线针(金刚石针)与半导体层接触，而在半导体层上产生裂纹或缺损，给脊形部(光波导)造成损伤这样的不妥。其结果是存在产生脊形部损伤这样的问题点。

发明内容

本发明的第一方面的氮化物类半导体元件的制造方法，包括：在基板上形成具有沿第一方向延伸的光波导(waveguide)的氮化物类半导体层的工序；沿与光波导延伸的第一方向交叉的第二方向进行第一分割的工序；在与基板的形成有氮化物类半导体层的一侧相反的一侧的表面，且在与沿第二方向延伸的基于第一分割的分割面间隔规定距离的区域中，通过照射激光形成沿第一方向延伸的元件分割用沟槽的工序；和通过沿元件分割用沟槽进行第二分割来形成氮化物类半导体元件的工序。

本发明的第二方面的氮化物类半导体元件，包括：由氮化物类半导体构成的基板；在基板上形成的、由形成有沿第一方向延伸的光波导的氮化物类半导体构成的氮化物类半导体层；在至少除光波导的端面附近以外的区域中，在沿光波导延伸的第一方向、从与基板的形成有氮化物类半导体层的一侧相反的一侧的表面形成的第一台阶部。

附图说明

图1是表示通过本发明的第一实施方式的GaN类半导体激光芯片的制造过程而形成的结构的一例的立体图。

图2是表示图1所示的GaN类半导体激光芯片的中央附近的半导体层的详细结构的截面图。

图3是表示通过本发明的第一实施方式的GaN类半导体激光芯片的制造过程而形成的结构的另一个示例的立体图。

图4是表示将图3所示的第一实施方式的另一个示例的GaN类半导体激光芯片安装在散热基台上时的结构的立体图。

图5是用于说明图1所示的第一实施方式的GaN类半导体激光芯片的晶片状态下的制造过程(晶片加工)的立体图。

图6是用于说明图1所示的第一实施方式的GaN类半导体激光芯片的晶片状态下的制造过程(晶片加工)的平面图。

图7是用于说明图1所示的第一实施方式的GaN类半导体激光芯片的晶片加工以后的制造过程(芯片化过程)的立体图。

图8是用于说明图1所示的第一实施方式的GaN类半导体激光芯片的晶片加工以后的制造过程(芯片化过程)的立体图。

图9是用于说明图1所示的第一实施方式的GaN类半导体激光芯片的晶片加工以后的制造过程(芯片化过程)的立体图。

图10是用于说明图1所示的第一实施方式的GaN类半导体激光芯片的晶片加工以后的制造过程(芯片化过程)的立体图。

图11是表示将本发明的第一实施方式的第一变化例的GaN类半导体激光芯片安装在散热基台上时的结构的立体图。

图12是表示本发明的第二实施方式的GaN类半导体激光芯片的结构的立体图。

图13是表示本发明的第二实施方式的GaN类半导体激光芯片的结构的立体图。

图14是用于说明图12和图13所示的第二实施方式的GaN类半导体激光芯片的制造过程的立体图。

图15是表示本发明的第三实施方式的GaN类半导体激光芯片的结构的立体图。

图16是表示将图15所示的第三实施方式的GaN类半导体激光芯片安装在散热基台上时的结构的立体图。

图17是用于说明图15和图16所示的第三实施方式的GaN类半导体激光芯片的制造过程的立体图。