[发明专利]DRAM控制装置以及DRAM控制方法无效
申请号: | 200710186319.8 | 申请日: | 2004-12-24 |
公开(公告)号: | CN101159129A | 公开(公告)日: | 2008-04-09 |
发明(设计)人: | 逸见正宪;蔵田和司 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G09G5/393 | 分类号: | G09G5/393;G09G5/36 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | dram 控制 装置 以及 方法 | ||
1.一种DRAM控制装置,其特征在于,
包括:多条信号线,其用于在具有突发式传输功能的多个DRAM之间输入输出包含地址和数据的多个信号;和
接口部,其将由2维配置的多个绘图块组成的帧缓冲区分配给上述多个DRAM,根据图形处理,访问上述多个DRAM,
上述接口部具有突发传输控制部,该突发传输控制部对于上述多个DRAM分别地输出用于使突发式传输停止的信号。
2.根据权利要求1所述的DRAM控制装置,其特征在于,
上述接口部,针对上述帧缓冲区的至少一部分,按照将不同的上述DRAM分配给邻接的上述绘图块的方式输出上述地址。
3.根据权利要求2所述的DRAM控制装置,其特征在于,
上述多个DRAM包括第一和第二DRAM,
上述接口部,以方格状将上述第一和第二DRAM分配给上述帧缓冲区域的各绘图块。
4.根据权利要求2所述的DRAM控制装置,其特征在于,
上述接口部备有地址控制部,该地址控制部对于上述多个DRAM,分别地输出存储单元选择信号以及地址信号。
5.根据权利要求4所述的DRAM控制装置,其特征在于,
上述接口部,针对上述帧缓冲区的至少一部分,分别将不同的在上述DRAM中的行地址之差为0或者1的区域分配给邻接的上述绘图块,
上述地址控制部,将上述地址信号的第0位分别地输出到每个DRAM,将剩下的位共同输出到各个DRAM。
6.根据权利要求2所述的DRAM控制装置,其特征在于,
上述接口部具有命令控制部,该命令控制部可以对上述多个DRAM分别地发送控制命令。
7.根据权利要求6所述的DRAM控制装置,其特征在于,
上述命令控制部,在对上述多个DRAM中的一个DRAM发送读出或写入命令的周期中,能够对其他的DRAM发送预充电命令。
8.根据权利要求7所述的DRAM控制装置,其特征在于,
上述指令控制部,发送预充电指令,并且还能够输出预充电信号。
9.根据权利要求2所述的DRAM控制装置,其特征在于,
上述接口部具有对上述多个DRAM分别输出用于控制读取数据有效·无效的读取控制部。
10.根据权利要求1所述的DRAM控制装置,其特征在于,
上述接口部,以分配不同的上述DRAM的方式对上述多个帧缓冲区域输出上述地址。
11.一种DRAM控制方法,是权利要求2所述的DRAM控制装置中的控制方法,其特征在于,包含:
步骤1:接口部接受图形处理命令,该图形处理命令横跨第1和2个绘图块,分别分配给邻接的且为上述多个DRAM所含有的第1和第2个DRAM;
步骤2:上述接口部,根据上述命令对于上述第1个DRAM,发出与上述第1个绘图块所对应领域的突发写入或者读取的指示;和
步骤3:上述接口部,根据上述命令对于上述第2个DRAM,发出与上述第2个绘图块所对应的领域的突发写入或者读取的指示,并且上述突发传输控制部对于上述第1个DRAM输出使突发传输停止的信号。
12.一种DRAM控制方法,是权利要求10所述的DRAM控制装置中的控制方法,其特征在于,包含:
步骤1:接口部接受使用第1以及第2个帧缓冲区进行图形处理的命令,该第1以及第2个帧缓冲区被分别分配到上述多个DRAM含有的第1和第2个DRAM中;
步骤2:上述接口部,根据上述命令,对于上述第1个DRAM,发出上述第1个帧缓冲区中的处理对象部分的突发写入或者读取的指示;和
步骤3:上述接口部,根据上述命令,对于上述第2个DRAM,发出上述第2个帧缓冲区中的处理对象部分的突发写入或者读取的指示,并且上述突发传输控制部,其对于上述第1个DRAM,输出使突发传输停止的信号。
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