[发明专利]荧光灯以及制造荧光灯的方法无效
申请号: | 200710186352.0 | 申请日: | 2007-11-12 |
公开(公告)号: | CN101197245A | 公开(公告)日: | 2008-06-11 |
发明(设计)人: | 田中规之 | 申请(专利权)人: | NEC照明株式会社 |
主分类号: | H01J61/35 | 分类号: | H01J61/35;H01J61/04;H01J61/12;H01J61/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 关兆辉;陆锦华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 荧光灯 以及 制造 方法 | ||
1.一种荧光灯,包括:
玻璃管;
电极对,位于所述玻璃管中;
保护膜,形成在所述玻璃管的内表面上并且由包括两种粒径分布的粉末组成;
荧光膜,形成在所述保护膜的内表面上;以及
放电介质,封入所述玻璃管内。
2.如权利要求1所述的荧光灯,其中
所述保护膜是通过将包含粉末的悬浮液施加在所述玻璃管的内表面上而形成的保护膜,所述粉末包括两种粒径分布。
3.如权利要求1所述的荧光灯,其中
组成所述保护膜的粉末是金属氧化物的微粒。
4.如权利要求3所述的荧光灯,其中
所述金属氧化物是包括Y、Ce和La的稀土金属、Ti、Si、Al以及Mg中的任一种的氧化物。
5.如权利要求3所述的荧光灯,其中
所述金属氧化物的第一微粒的中心颗粒直径处于0.001μm到0.1μm的范围内,优选为0.001μm到0.01μm,所述金属氧化物的第二微粒的中心颗粒直径处于1μm到6μm的范围内,优选为2μm到5μm,并且其中,第二微粒的数量不大于第一颗粒数量的1%,优选不大于0.1%。
6.如权利要求1所述的荧光灯,其中
所述放电介质由汞和稀有气体组成。
7.如权利要求1所述的荧光灯,其中
所述荧光灯是灯丝型荧光灯并且在灯丝之间发生放电。
8.如权利要求1所述的荧光灯,其中
所述荧光灯是冷阴极荧光灯并且在冷阴极电极之间发生放电。
9.一种制造荧光灯的方法,该荧光灯包括玻璃管、位于所述玻璃管中的电极对、在所述玻璃管的内表面上形成的保护膜和荧光膜、以及封入所述玻璃管内的放电介质,其中
所述保护膜由具有两种粒径分布的粉末组成。
10.如权利要求9所述的方法,其中
通过在所述玻璃管的内表面上施加包含粉末的悬浮液而形成所述保护膜,所述粉末包括两种粒径分布。
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