[发明专利]对被处理基板进行半导体处理的装置有效
申请号: | 200710186550.7 | 申请日: | 2004-04-20 |
公开(公告)号: | CN101174551A | 公开(公告)日: | 2008-05-07 |
发明(设计)人: | 朝仓贤太朗 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/687 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 进行 半导体 装置 | ||
1.一种对被处理基板进行半导体处理的装置,具有:
容纳所述被处理基板的处理容器;
将处理体气供给所述处理容器内的供气系统;
配置在所述处理容器内的载置台,所述载置台具有载置所述被处理基板的上表面和露出到所述处理容器内的下表面;和
相对所述载置台的所述上表面,辅助进行所述被处理基板的运送的升降机构;
其中,所述升降机构具有:
支承所述被处理基板的升降机销子;
使所述升降机销子升降的驱动部;
引导所述升降机销子的升降动作的导向孔;所述导向孔具有贯通所述载置台,从所述上表面延伸至所述下表面的主孔部分;和与所述主孔部分对应,从所述载置台的所述下表面向下方突出的延长套管内延伸的延长孔部分。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述导向孔的所述延长孔部分的长度比所述导向孔的所述主孔部分的长度的一半大。
3.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述辅助管的上端安装在所述载置台的所述下表面上,由所述辅助管的全体形成所述延长套管,使得所述延长孔部分在辅助管内形成。
4.如权利要求1所述的装置,其特征在于,将所述辅助管插入上下贯通所述载置台的通孔内,从所述载置台的所述下表面向下突出的所述辅助管的部分形成所述延长套管,使得所述主孔部分和所述延长孔部分在一个辅助管内形成。
5.如权利要求4所述的装置,其特征在于,进一步具有配置在所述辅助管的上端部且与所述载置台接合的法兰;和与所述载置台的所述下表面接触,同时与所述辅助管的外表面接合的固定部件;通过所述法兰和所述固定部件的配合动作,将所述辅助管固定在所述载置台上。
6.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述驱动部分可在第一和第二个状态间使所述升降机销子升降,在所述第一状态下,为了辅助所述被处理基板的运送,所述升降机销子突出到所述载置台的所述上表面,在所述第二状态下,为了进行所述半导体处理,所述升降机销子退避到所述载置台的所述上表面下;
在所述第二状态下,所述升降机销子与所述导向孔的内表面接触的下侧接触点,位于所述延长套管的下端部的上面。
7.如权利要求6所述的装置,其特征在于,所述升降机销子具有上轴部和直径比所述上轴部小的下轴部,所述上轴部的下端部形成所述下侧接触点。
8.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述下轴部具有直径向下方逐渐缩小的锥状。
9.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述导向孔的所述延长孔部分的内表面的直径向下方逐渐扩大。
10.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述驱动部分可在第一和第二个状态间使所述升降机销子升降,在所述第一状态下,为了辅助所述被处理基板的运送,所述升降机销子突出到所述载置台的所述上表面,在所述第二状态下,为了进行所述半导体处理,所述升降机销子退避到所述载置台的所述上表面下;
在所述升降机销子的外表面形成环状凹部,在所述升降销子的所述第二个状态下,所述环状凹部位于所述延长套管的下端部的上面。
11.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述驱动部分可在第一和第二个状态间使所述升降机销子升降,在所述第一状态下,为了辅助所述被处理基板的运送,所述升降机销子突出到所述载置台的所述上表面,在所述第二状态下,为了进行所述半导体处理,所述升降机销子退避到所述载置台的所述上表面下;
在所述升降机销子的外表面上形成长方向槽部,在所述升降机销子的所述第二状态下,所述长方向槽部位于所述延长套管的下端部的上面。
12.如权利要求4所述的装置,其特征在于,在所述辅助管的内表面形成长方向槽部。
13.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述升降机销子的下端部可以分开与所述驱动部的驱动面接触。
14.如权利要求1所述的装置,其特征在于,进一步具有支承所述载置台的支柱,所述载置台通过所述支柱,支承在所述处理容器上。
15.如权利要求14所述的装置,其特征在于,所述处理容器具有在所述载置台的所述下表面的下方形成的排气侧空间,该空间的平面轮廓比所述载置台小,且包围所述支柱;对所述处理容器内部进行真空排气的排气系统与所述排气空间连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造