[发明专利]对被处理基板进行半导体处理的装置有效
申请号: | 200710186550.7 | 申请日: | 2004-04-20 |
公开(公告)号: | CN101174551A | 公开(公告)日: | 2008-05-07 |
发明(设计)人: | 朝仓贤太朗 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/687 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 进行 半导体 装置 | ||
本案是申请日为2004年4月20日、申请号为200480010775.1、发明名称为对被处理基板进行半导体处理的装置的分案申请
技术领域
本发明涉及在对处理基板实施半导体处理的装置中,具有改良的基板升降机构的装置。这里,所谓半导体处理是指通过在半导体晶片或LCD(Liquid Crystal Display)或FPD(Flat Panel Display)用的玻璃基板等被处理基板上,通过按规定的图形形成半导体层、绝缘层、导电层等,在该被处理基板上制造包含半导体设备和与半导体设备连接的配线、电极等构造物而实施的各种处理。
背景技术
在半导体设备的制造中,要对半导体晶片等被处理基板反复进行成膜、蚀刻、加热、改良、结晶化等各种半导体处理。在这种半导体处理中,将被处理基板载置在处理容器内配置的载置台(基座)上,在此状态下,对被处理基板进行处理。为了进行被处理基板在载置台上的运送,使用升降机构。一般地,这种升降机构具有分别配置在上述载置台内形成的通孔内的升降机销子。
图8为表示现有的半导体处理装置的基板升降机构的一部分的纵截面侧视图。如图8所示,在载置台138上形成多个上下贯通的通孔(导向孔)150。升降机销子152可自由出入地插入导向孔150中。通过规定的驱动装置驱动升降机销子152,在载置台138的载置面上进行出入动作(例如,参照特开平6-318630号公报)。
在这种被处理基板的升降机构中,通过驱动装置使升降机销子152突出到载置台138的载置面上,从载置面抬起被处理基板W。此外,通过使升降机销子152下降,将被处理基板W载置在载置面上。在图8中,升降机销子152的下端只是在与安装在驱动零件154上的销子底座156的表面接触的状态下被支承。通过使驱动零件154上下移动,升降机销子152在导向孔150的内部上下滑动。
特表2002-530847号公报也公开了具有基板升降机构的处理装置。在该文献的装置中,在载置台上形成的通孔的内部配置进行升降机销子导向的辅助管。
发明内容
本发明的目的是在对被处理基板实施半导体处理的装置中,减轻由于气体在升降机销子和导向孔之间回转产生的堆积物附着等问题。
本发明的第一方面的对被处理基板进行半导体处理的装置,具备:
容纳上述被处理基板的处理容器;
将处理气体供给上述处理容器内的供气系统;
配置在上述处理容器内的载置台,上述载置台具有载置上述被处理基板的上表面和露出到上述处理容器内的下表面,和
相对于上述载置台的上述上表面,辅助上述被处理基板的运送的升降机构;其中,
上述升降机构具备:
支承上述被处理基板的升降机销子;
使上述升降机销子升降的驱动部分;
引导上述升降机销子的升降动作的导向孔;上述导向孔具备贯通上述载置台,从上述上表面延伸至上述下表面的主孔部分,和与上述主孔部分对应,从上述载置台的上述下表面向下方突出的延长套管内延伸的延长孔部分。
上述导向孔的上述延长孔部分的长度优选比上述导向孔的上述主孔部分的长度的一半大。在一种形式中,上述辅助管的上端安装在上述载置台的上述下表面上,上述辅助管的全体形成上述延长套管,使上述延长孔部分在辅助管内形成。在另一种形式中,将上述辅助管插入上下贯通上述载置台的通孔内,从上述载置台的上述下表面向下突出的上述辅助管的一部分形成上述延长套管,使得上述主孔部分和上述延长孔部分在一个辅助管内形成。
上述驱动部分可在第一和第二个状态间使上述升降机销子升降,能够构成在上述第一状态下,为了辅助上述被处理基板的运送,上述升降机销子突出到上述载置台的上述上表面,在上述第二状态下,为了进行上述半导体处理,上述升降机销子退避在上述载置台的上述上表面下的结构。
在上述升降机销子的上述第二状态,上述升降机销子与上述导向孔的内表面接触的下侧接触点,优选位于上述延长套管的下端向上的位置。因此,能够构成上述升降机销子具有上轴部分和直径比上述上轴部分小的下轴部分,上述上轴部分的下端部形成上述下侧接触点的结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造