[发明专利]动态半导体存储装置及操作该装置的方法

权利要求书

1.一种动态半导体存储装置，包括：

第一位线；

第二位线，与该第一位线成对排列；

字线，与该第一和第二位线交叉；

存储单元，与该第一位线和该字线连接；

参考字线，与该第一和第二位线交叉；

参考存储单元，与该第二位线和该参考字线连接；

用于激活该字线的装置；

位线预充电装置，用于在激活该字线之前，预充电该第一和第二位线至地电压或电源电压；

用于当激活该字线时激活该参考字线的装置；

参考电压预充电装置，用于在激活该参考字线之前，预充电该参考存储单元至参考电压；

电平转换装置，用于当激活字线时，转换该第一和第二位线的电压电平；

第一共享线；

第二共享线，与该第一共享线成对排列；

第一隔离器，连接在该第一和第二位线以及该第一和第二共享线之间；

第一传导型的传感放大器，连接在该第一和第二共享线之间；以及

第二传导型的第一传感放大器，

其中该第二传导型的第一传感放大器包括：

第二传导型的第一场效应晶体管，具有与该第二位线连接的栅极，和与该第一共享线或该第一位线连接的漏极，以及

第二传导型的第二场效应晶体管，具有与该第一位线连接的栅极，和与该第二共享线或该第二位线连接的漏极。

2.如权利要求1所述的动态半导体存储装置，其中该电平转换装置包括：

转换字线，与该第一和第二位线交叉；

第一转换存储单元，与该第一位线和该转换字线连接；

第二转换存储单元，与该第二位线和该转换字线连接；

用于当激活该字线时激活该转换字线的装置；以及

转换电压预充电装置，用于在激活该转换字线之前，预充电该第一和第二转换存储单元至转换电压。

3.如权利要求2所述的动态半导体存储装置，其中

该第一转换存储单元包括：

第一电容器，以及

第一场效应晶体管，具有与该转换字线连接的栅极、与该第一位线连接的源极/漏极以及与该第一电容器的电极之一连接的源极/漏极；

该第二转换存储单元包括：

第二电容器，以及

第二场效应晶体管，具有与该转换字线连接的栅极、与该第二位线连接的源极/漏极、以及与该第二电容器的电极之一连接的源极/漏极；以及

该转换电压预充电装置包括：

第三场效应晶体管，在激活该转换字线之前导通，用于向该第一电容器提供该转换电压，以及

第四场效应晶体管，在激活该转换字线之前导通，用于向该第二电容器提供该转换电压。

4.如权利要求1所述的动态半导体存储装置，其中

第二传导型的该第一场效应晶体管的该漏极与该第一共享线连接；

第二传导型的该第二场效应晶体管的该漏极与该第二共享线连接；

第二传导型的该第一和第二场效应晶体管的该源极直接与地或电源连接；以及

第一传导型的该传感放大器包括：

第一传导型的第一场效应晶体管，具有与该第二共享线连接的栅极、与该第一共享线连接的漏极和直接与该电源或该地连接的源极；以及

第一传导型的第二场效应晶体管，具有与该第一共享线连接的栅极、与该第二共享线连接的漏极和直接与该电源或该地连接的源极。

5.如权利要求4所述的动态半导体存储装置，其中第二传导型的该第一传感放大器中第二传导型的该第一和第二场效应晶体管的阈值电压低于第一传导型的该传感放大器中第一传导型的该第一和第二场效应晶体管的阈值电压。

6.如权利要求1所述的动态半导体存储装置，进一步包括：

第三位线；

第四位线，与该第三位线成对排列；

第二隔离器，连接在该第一和第二共享线以及该第三和第四位线之间；以及

第二传导型的第二传感放大器；其中

第二传导型的该第二传感放大器包括：

第二传导型的第三场效应晶体管，具有与该第四位线连接的栅极和与该第一共享线或该位线连接的漏极；以及

第二传导型的第四场效应晶体管，具有与该第三位线连接的栅极和与该第二共享线或该第四位线连接的漏极。