[发明专利]半导体芯片、集成电路结构及半导体晶圆

权利要求书

1.一种半导体芯片，包括：

半导体衬底；

晶圆穿孔结构，位于所述半导体衬底内；

多个导电图案，位于所述半导体衬底之上且彼此相邻，其中所述多个导电图案的下表面和所述晶圆穿孔结构的上表面共平面，其中所述多个导电图案包括一中心导电图案与包围该中心导电图案的多个周边导电图案，且该晶圆穿孔结构连接该中心导电图案；以及

多个接合垫，位于所述半导体芯片的表面上，各自连接所述多个导电图案的一个。

2.如权利要求1所述的半导体芯片，其中所述多个接合垫电性隔绝所述半导体芯片中的多个有源元件。

3.一种集成电路结构，包括：

衬底；

晶圆穿孔结构，位于所述衬底内；

中心导电图案，位于所述晶圆穿孔结构之上；

第一接合垫，电连接所述中心导电图案；

第一周边导电图案，邻近所述中心导电图案，其中所述中心导电图案和所述第一周边导电图案的下表面为共平面，且其中所述晶圆穿孔结构连接所述中心导电图案；以及

第二接合垫，电连接所述第一周边导电图案。

4.如权利要求3所述的集成电路结构，其中所述中心导电图案和所述第一周边导电图案之间具有距离，所述距离小于所述晶圆穿孔结构的截面尺寸。

5.如权利要求3所述的集成电路结构，其中所述中心导电图案和所述第一周边导电图案电性隔绝多个有源元件和无源元件。

6.如权利要求3所述的集成电路结构，还包括多个第二周边导电图案，其邻近于所述中心导电图案且位于所述第一周边导电图案的外围，其中所述中心导电图案和所述多个第二周边导电图案的下表面为共平面，且其中所述多个第二周边导电图案各自连接接合垫。

7.如权利要求3所述的集成电路结构，其中所述中心导电图案和所述第一周边导电图案为金属层中的金属图案。

8.如权利要求3所述的集成电路结构，其中所述中心导电图案和所述第一周边导电图案为接触插塞。

9.如权利要求3所述的集成电路结构，其中所述中心导电图案和所述第一周边导电图案为已掺杂的多晶硅导线。

10.如权利要求3所述的集成电路结构，其中所述中心导电图案和所述第一周边导电图案为所述衬底中的扩散区。

11.如权利要求3所述的集成电路结构，还包括：

额外的晶圆穿孔结构，位于所述衬底内；

额外的中心导电图案，位于所述衬底之上；

额外的周边导电图案，邻近所述额外的中心导电图案，其中所述额外的晶圆穿孔结构连接所述额外的中心导电图案；以及

额外的接合垫，连接所述额外的中心导电图案和所述额外的周边导电图案。

12.如权利要求3所述的集成电路结构，其中所述晶圆穿孔结构连接所述第一周边导电图案。

13.一种半导体晶圆，包括：

半导体衬底；

晶圆穿孔结构，位于所述半导体衬底内；

中心导电图案，位于所述晶圆穿孔结构之上；

多个周边导电图案，包围所述中心导电图案，其中所述中心导电图案和所述多个周边导电图案为共平面，且其中所述晶圆穿孔结构具有上表面，连接所述中心导电图案的下表面；以及

多个接合垫，位于所述半导体晶圆的上表面，其中所述多个接合垫各自连接所述中心导电图案或所述多个周边导电图案之一的其中一个。

14.如权利要求13所述的半导体晶圆，其中所述晶圆穿孔结构、所述中心导电图案、和所述多个接合垫位于所述半导体晶圆的半导体芯片之内。

15.如权利要求13所述的半导体晶圆，其中所述晶圆穿孔结构、所述中心导电图案、和所述多个接合垫，至少一个位于所述半导体晶圆的切割线之内。

16.如权利要求13所述的半导体晶圆，其中连接所述周边导电图案的所述多个接合垫和所述中心导电图案之间的距离相等。

17.如权利要求16所述的半导体晶圆，还包括多个额外的接合垫，其包围所述中心导电图案，其中所述多个额外的接合垫与所述中心导电图案相隔的距离较所述中心导电图案与所述多个接合垫相隔的距离远。