[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包含：

半导体衬底；

开口，位于该半导体衬底中；

顺应性的半导体层，位于该开口中，并覆盖该开口的底部与侧壁，其中该半导体层与该半导体衬底包含不同的材料；

金属氧化物半导体装置，具有位于该半导体衬底中且未位于该顺应性的半导体层中的源/漏极区，其中该源/漏极区邻接该顺应性的半导体层；以及

介电材料，位于该顺应性的半导体层上，并填入该开口的剩余部分。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该顺应性的半导体层包含外延材料，该外延材料选自以下物质组成的族群：硅锗与硅碳。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其中该硅锗包含20原子百分比至30原子百分比的锗。

4.如权利要求2所述的半导体结构，其中该硅碳包含小于2原子百分比的碳。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该顺应性的半导体层具有上缘，该顺应性的半导体层的上缘实质上与该介电材料的上表面高度相等。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该顺应性的半导体层具有上缘，该顺应性的半导体层的上缘低于该介电材料的上表面，且该介电材料延伸至该顺应性的半导体层的上缘之上。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其中该金属氧化物半导体装置还具有应力源，其中该应力源与该顺应性的半导体层相邻，且其中该应力源与该顺应性的半导体层具有相同形式的固有应力。

8.一种半导体结构，包含：

半导体衬底；

浅沟槽隔离区，具有介电质区，该介电质区从该半导体衬底的实质上的上表面延伸进入该半导体衬底中；

顺应性的外延线层，将该介电质区与该半导体衬底分离，其中该顺应性的外延线层与该半导体衬底具有不同的晶格常数；以及

金属氧化物半导体装置，具有位于该半导体衬底中且未位于该顺应性的外延线层中的源/漏极区，其中该源/漏极区与该顺应性的外延线层相邻。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其中该金属氧化物半导体装置还包含源/漏极应力源，且其中该源/漏极应力源与该顺应性的外延线层对该金属氧化物半导体装置的沟道区施加相同形式的应力。

10.如权利要求8所述的半导体结构，其中该顺应性的外延线层延伸至该浅沟槽隔离区的上表面。

11.如权利要求8所述的半导体结构，其中该顺应性的外延线层的上缘低于该浅沟槽隔离区的上表面。

12.如权利要求8所述的半导体结构，其中该顺应性的外延线层包含一材料，该材料选自以下物质组成的族群：硅锗与硅碳。

13.如权利要求8所述的半导体结构，还包含：蚀刻停止层，位于该金属氧化物半导体装置上，其中该蚀刻停止层与该顺应性的外延线层对该金属氧化物半导体装置的沟道区施加相同形式的应力。

14.一种半导体结构，包含：

半导体衬底；

第一浅沟槽隔离区，具有第一介电质区，该第一介电质区从该半导体衬底的实质上的上表面延伸进入该半导体衬底中；

施加压应力的顺应性外延线层，将该第一介电质区与该半导体衬底分离，其中该施加压应力的顺应性外延线层包含硅锗；

P型金属氧化物半导体装置，具有第一源/漏极区，其中该第一源/漏极区与该第一浅沟槽隔离区相邻；

第二浅沟槽隔离区，具有第二介电质区，该第二介电质区从该半导体衬底的该实质上的上表面延伸进入该半导体衬底中；

施加拉应力的顺应性外延线层，将该第二介电质区与该半导体衬底分离，其中该施加拉应力的顺应性外延线层包含硅碳；以及

N型金属氧化物半导体装置，具有第二源/漏极区，其中该第二源/漏极区与该第二浅沟槽隔离区相邻。

15.如权利要求14所述的半导体结构，其中该硅锗包含20原子百分比至30原子百分比的锗，该硅碳包含小于2原子百分比的碳。

16.如权利要求14所述的半导体结构，其中该P型金属氧化物半导体装置还包含硅锗应力源，且其中该N型金属氧化物半导体装置还包含硅碳应力源。