[发明专利]二次插层有机膨润土的制备方法无效
| 申请号： | 200710188484.7 | 申请日： | 2007-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101264894A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 冯辉霞;张国宏;王毅;邵亮;赵阳 | 申请（专利权）人： | 兰州理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/40 | 分类号： | C01B33/40;C01B33/44 |
| 代理公司： | 兰州振华专利代理有限责任公司 | 代理人： | 董斌 |
| 地址： | 730050*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二次 有机 膨润土 制备 方法 | ||
1、二次插层有机膨润土的制备方法，其特征在于首先将钠基膨润土进行一次过渡金属离子化，形成一次过渡金属离子插层，然后进行二次有机化，形成二次有机插层。
2、根据权利要求1所述的二次插层有机膨润土的制备方法，其特征在于过渡金属离子加入量为每100g钠基膨润土中含50～100mmol过渡金属离子。
3、根据权利要求1所述的二次插层有机膨润土的制备方法，其特征在于有机试剂加入量为每100g钠基膨润土中含50～100mmol有机试剂。
4、根据权利要求1所述的二次插层有机膨润土的制备方法，其特征在于钠基膨润土粉体的尺寸在40～200nm之间。
5、根据权利要求1所述的二次插层有机膨润土的制备方法，其具体制备步骤为：
(1)形成一次过渡金属离子插层
在反应容器中加入蒸馏水，加热到80℃后，加入100g的钠基膨润土，震荡使其分散，然后迅速加入50～100mmol的过渡金属盐类，搅拌约2小时，使其充分交换；交换后的土经过抽滤、洗涤、干燥、粉碎后得到一次插层过渡金属基膨润土；
(2)形成二次有机插层
在另一个反应容器中加入蒸馏水，加热到80℃后，加入100g的一次插层过渡金属基膨润土，震荡使其分散，然后迅速加入50～100mmol的有机试剂，搅拌反应2小时，反应完毕后将得到的有机膨润土料浆在常温下离心分离后，用蒸馏水洗涤，重复数次水洗过程以除去其中残余的Cl-；将分离出的有机膨润土在40℃左右的真空环境下进行干燥，在105℃活化30分钟，置干燥容器中保存，即制得二次插层有机膨润土。
6、根据权利要求5所述的二次插层有机膨润土的制备方法，其特征在于所述过渡金属盐类是硝酸镍，或硝酸钴，或硝酸铜。
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