[发明专利]具晶粒接收凹孔的晶片级封装无效
申请号: | 200710188639.7 | 申请日: | 2007-11-21 |
公开(公告)号: | CN101188220A | 公开(公告)日: | 2008-05-28 |
发明(设计)人: | 杨文焜;张瑞贤 | 申请(专利权)人: | 育霈科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/498;H01L23/13;H01L21/50;H01L21/58;H01L21/60 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶粒 接收 晶片 封装 | ||
1.一种封装结构,其特征在于,包含:
一基板,其具有形成于该基板的上表面内的一晶粒接收凹孔,以及形成穿过其中的一通孔结构,其中一终端垫形成于该通孔结构之下以及一导线是形成于该基板的下表面;
一晶粒,其是由粘胶而设置于该晶粒接收凹孔内;
一介电层,其形成于该晶粒及该基板上;以及
一重分布层,其形成于该介电层上,其中该重分布层耦合至该晶粒以及通过该通孔结构耦合至该终端垫。
2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,其还包含导电凸块,其耦合至该终端垫,或一保护层,其形成于该下表面以覆盖该导线。
3.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,其中该介电层包含一弹性介电层或一感光层。
4.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,其中该介电层包含含硅介电型材料、苯环丁烯或聚亚酰胺,其中该含硅介电型材料包含硅氧烷聚合物、二氧化硅或氮化硅或其结合。
5.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,其中该重分布层是由包含钛和铜和金合金或钛和铜和镍和金合金的合金制成。
6.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,其中该重分布层是从该晶粒扩散出。
7.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,其中该重分布层是通过该通孔结构而向下连通至该终端垫。
8.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,其中该基板的材料包含环氧型耐高温玻璃纤维板、玻璃纤维板、双马来酰亚胺三氮杂苯树脂、印刷电路板、合金、金属、镍铁合金、柯弗合金、玻璃、硅或陶瓷。
9.一种用于形成半导体组件封装的方法,其特征在于包含:
提供基板,其具有形成于该基板的上表面内的晶粒接收凹孔以及形成穿过其中的通孔结构,其中终端垫是形成于该通孔结构之下以及导线是形成于该基板的下表面;
利用取放精密对准系统以重分布已知良好晶粒于工具上使其具期望的间距;
附着粘胶材料于晶粒背侧上;以及
结合该基板于该晶粒背侧上且经固化后分离该工具。
10.根据权利要求9所述的用于形成半导体组件封装的方法,其特征在于,其还包含:
涂布介电材料于该基板上之后,实行真空程序;
开启通孔结构及输出入垫;
溅镀种子金属层于该介电层、该通孔结构及该输出入垫上;
形成重分布层金属于该介电层上;以及
形成顶部介电层于该重分布层上。
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