[发明专利]光刻方法有效
| 申请号： | 200710188644.8 | 申请日： | 2007-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101187784A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 桂成群;鲁迪·詹·玛丽·佩伦斯 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/26;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 | ||
1.一种在至少部分涂覆有抗蚀剂的衬底上形成环形密封的方法，所述方法包括步骤：以深紫外辐射辐射衬底上的抗蚀剂环。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述抗蚀剂环被辐射以从抗蚀剂环上去除图案，或者防止经过辐射的抗蚀剂环被图案化。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述深紫外辐射的波长小于或等于193nm、248nm、250nm或275nm。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述深紫外辐射的波长足以使抗蚀剂环中发生交联或聚合。
5.根据权利要求1所述的方法，包括辐射抗蚀剂以形成交联或聚合层，所述交联或聚合层足够厚以防止当抗蚀剂被随后进行显影时在交联或聚合层下的抗蚀剂发生显影。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述交联或聚合层至少为200nm厚。
7.根据权利要求1所述的方法，包括步骤：相对于深紫外辐射出口旋转衬底，以由深紫外辐射辐射抗蚀剂环。
8.根据权利要求1所述的方法，包括步骤：在衬底周围移动深紫外辐射出口，以由深紫外辐射辐射抗蚀剂环。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，衬底上的抗蚀剂被辐射曝光，以将图案施加到抗蚀剂上。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述衬底在所述抗蚀剂环被深紫外辐射辐射以后被辐射曝光。
11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述衬底在所述抗蚀剂环被深紫外辐射辐射以前被辐射曝光。
12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述曝光辐射是i线、g线、h线或宽带紫外辐射。
13.根据权利要求9所述的方法，其中，所述曝光辐射具有比深紫外辐射的波长更长的波长。
14.根据权利要求1所述的方法，还包括加热抗蚀剂环的步骤。
15.根据权利要求14所述的方法，还包括步骤：在由深紫外辐射辐射抗蚀剂环之前、期间或之后加热抗蚀剂环。
16.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：当发生深紫外辐射时，将气体引入到抗蚀剂环附近。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述气体是氮气。
18.根据权利要求1所述的方法，还包括烘烤涂覆有抗蚀剂的衬底的步骤。
19.根据权利要求18所述的方法，还包括在抗蚀剂被辐射曝光以后烘烤涂覆有抗蚀剂的衬底的步骤。
20.一种包括通过以深紫外辐射辐射衬底上的抗蚀剂环来在至少部分涂敷有抗蚀剂的衬底上形成环形密封的光刻方法。
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