[发明专利]光刻方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种光刻方法。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版(reticle)的图案形成装置用于产生与所述IC的单层相对应的电路图案。可以将该图案成像到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或多个管芯的部分)上，所述衬底具有一层辐射敏感材料(抗蚀剂)。通常，单独的衬底将包含连续被曝光的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过沿给定方向(“扫描”方向)用辐射束扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。

在一些情况下，需要确保例如衬底的外侧区域上的一定区段的抗蚀剂是容易去除的。所述外侧区域可以例如是衬底的外围区域(例如边沿区域)。

例如当“封装”IC(即安装到电路板上)时，一个这种情况出现。通常采用导线将IC与电路板相连。然而，近年来，导线所粘合的位置之间的距离已经逐渐变小，且采用导线粘合更为困难。公知为倒装芯片凸起形成的工艺越来越多地被用于替代采用连接导线来连接IC与电路板。在倒装芯片凸起形成工艺中，焊料(或某些其他金属)被提供在衬底上的每个IC上的特定位置上。衬底被翻转，并例如通过加热焊料以使得焊料融化并在之后使其再次冷却而将衬底结合至电路板。

焊料(或其他金属)可以通过光刻工艺将自身设置在特定的位置上。在这种工艺中，可能包括多个IC的衬底设置有一层辐射敏感材料(抗蚀剂)。光刻设备可以被用于辐射抗蚀剂，并随后在特定的位置上选择性地去除抗蚀剂，在所述位置上，需要焊料的“凸起”(本领域内的技术人员应当理解，依赖于所使用的是正性抗蚀剂还是负性抗蚀剂，所述区域可以是经过辐射的区域或者未经过辐射的区域)。然后，IC可以经过电镀步骤将焊料应用到IC的特定位置上。正如所理解的那样，电镀工艺涉及对金属将要沉积于其上的物品的电连接。相应地，电镀步骤需要衬底的无抗蚀剂区段以进行电连接。

发明内容

尽管提供用于进行这种电连接的单个无抗蚀剂点就足够了，但是在衬底的外侧区域周围提供无抗蚀剂的衬底的连续环是有益的。这种配置可以使得电连接更可靠。进而，在衬底的外侧边沿周围的连续无抗蚀剂环允许采用无抗蚀剂区域方便地形成电镀槽。例如，直立的壁可以被设置在衬底的无抗蚀剂区域上，以使得衬底形成电镀槽的基础。

例如，为了确保至衬底的良好的电连接，无抗蚀剂环应当是连续的、无抗蚀剂的和不受污染的。为了帮助确保此，提供衬底的图案化区域不显著地侵占或紧邻无抗蚀剂区域(或者将随后去除抗蚀剂的区域)相邻是有用的。这致使例如在衬底的图案化区段的处理中使用的化学物质、溶液等不泄漏到无抗蚀剂区域上或无抗蚀剂区域中。这种泄漏可以通过在图案化的区域周围形成称为环形密封的隔离物或密封。

例如，旨在提供一种用于形成这种环形密封的新设备和方法。

根据本发明的一个方面，提供一种环形密封形成设备，包括：

衬底保持架，配置用于保持至少一部分涂覆有抗蚀剂的衬底；以及

深紫外辐射出口，配置用于辐射抗蚀剂区段，在衬底保持架和深紫外辐射出口之间能够产生相对运动，设置所述运动以使得在设备的使用中，由深紫外辐射出口辐射的抗蚀剂的区段是环形的。

根据本发明的另一个方面，提供一种设置有环形密封形成设备的光刻设备，所述环形密封形成设备包括：

衬底保持架，配置用于保持至少一部分涂覆有抗蚀剂的衬底；以及

深紫外辐射出口，配置用于辐射抗蚀剂区段，

其中，设置所述衬底保持架和深紫外辐射出口以使得在衬底保持架和深紫外辐射出口之间能够产生相对运动，以便辐射抗蚀剂环而形成环形密封。

根据本发明的另一个方面，提供一种设置有环形密封的衬底，所述环形密封通过以深紫外辐射辐射衬底上的抗蚀剂环而形成。

根据本发明的另一个方面，提供一种在至少部分涂覆有抗蚀剂的衬底上形成环形密封的方法，所述方法包括以深紫外辐射辐射衬底上的抗蚀剂环的步骤。

根据本发明的另一个方面，提供一种包括通过以深紫外辐射辐射衬底上的抗蚀剂环来在至少部分被抗蚀剂涂覆的衬底上形成环形密封的光刻方法。

附图说明

在此仅借助示例，参照所附示意图对本发明的实施例进行描述，在所附示意图中，相同的附图标记表示相同的部件，且其中：

图1示出根据本发明的实施例的光刻设备；