[发明专利]低温太阳能选择性吸收涂层及其制备方法有效
申请号: | 200710190483.6 | 申请日: | 2007-11-27 |
公开(公告)号: | CN101182132A | 公开(公告)日: | 2008-05-21 |
发明(设计)人: | 焦青太 | 申请(专利权)人: | 江苏太阳雨太阳能有限公司 |
主分类号: | C03C17/36 | 分类号: | C03C17/36 |
代理公司: | 南京众联专利代理有限公司 | 代理人: | 王彦明 |
地址: | 222243江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低温 太阳能 选择性 吸收 涂层 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种太阳能利用技术,特别是一种低温太阳能选择性吸收涂层,本发明还涉及该涂层的一种制备方法。
背景技术
1985年清华大学殷志强教授发明了一种太阳能选择性吸收涂层(ZL85100142),真空管太阳能热水器在中国得到迅速普及,2006年中国的太阳能热水器安装量为1800万m2,保有量为9000万m2,2005年的安装量为全世界的75.8%,使中国成为名副其实的太阳能热利用大国,其中占中国市场90%以上的是真空管集热器。但在国际市场上(除中国以外),占市场90%的集热器却是平板集热器,对比国内外市场可以发现,中国的真空管太阳能集热器主要用来产生生活热水。每户1~2m2,配一个水箱,但在国外,大部分是热水采暖复合系统,每户约需十几到二十几个m2的集热器,以满足冬季采暖的要求,但到夏季,无采暖需求,光照又好,整个系统能得到的能量高于所需的能量,如果用真空管集热器,真空管的吸收率高,如殷教授的发明α≈0.93,发射率低ε≈0.06(100℃),整个系统极易过热,对使用者以及系统的安全造成极大的隐患。
发明内容
本发明要解决的技术问题是针对现有技术的不足,提出了一种防止系统过热的低温太阳能选择性吸收涂层,当温度过高时,膜层的发射比会快速上升,增加集热器热损,防止系统过热。
本发明另一要解决的技术问题是提出了该涂层的一种制备方法。
本发明要解决的技术问题是通过以下技术方案来实现的,一种低温太阳能选择性吸收涂层,其特点是:包括在玻璃表面制备厚度0.02~0.06×10-6m的Al或Cu作为基层、在此基层上沉积厚度0.03×10-6m~0.15×10-6m的Ge-C作为红外增透层、在红外增透层的上面再制备Al-N复合吸收材料层。
本发明要解决的技术问题还可以通过以下技术方案来进一步实现,所述的Al-N复合吸收材料层包括吸收层和减反层。
本发明另一要解决的技术问题是公开了该涂层的一种制备方法,其特点是:采用Al作为基层时,利用两靶磁控溅射技术,在一个溅射真空室中安装了Ge和Al两只靶电极,两靶之间有隔离屏,1、首先制作Al基层,在纯氩气Ar环境下,在玻璃管外壁沉积一层Al基层;2、然后通过通气管通入CO或C2H2气体,流量为30~50sccm,C和锗Ge沉积在Al基层上形成Ge-C红外增透层;3、然后停止通CO或C2H2,再通入N2并逐渐改变N2流量,在红外增透层上形成Al-N复合吸收材料层。
本发明以多靶磁控溅射技术制备的新型太阳能吸收涂层,增加了红外增透层,与现有技术相比,该涂层具有对波长为0.3~2.5μm范围内的太阳长谱优异的吸收特性,更重要的是该吸收涂层的基层具有高的吸收率,对8μm以上的远红外有很好反射作用,但对8μm以下的远红外有很高的透过性,即当真空管内的温度升高到90℃~100℃时,该吸收涂层的发射比会快速上升,增加集热器热损,防止系统过热。
附图说明
图1为本发明的涂层结构简图。
图2为两靶磁控溅射的示意图。
具体实施方式
一种低温太阳能选择性吸收涂层,包括在玻璃表面制备厚度0.02~0.06×10-6m的Al或Cu作为基层、在此基层上沉积厚度0.03×10-6m~0.15×10-6m的Ge-C作为红外增透层、在红外增透层的上面再制备铝氮(Al-N)复合吸收材料层。铝氮(Al-N)复合吸收材料层包括吸收层和减反层。
附图中:1、玻璃内管,2、锗靶,3、CO或C2H2通气管,4、真空室,5、Ar和N2气管,6、铝靶,7、隔离屏,8、减反层,9、吸收层,10、红外增透层,11、铝基层,12、玻璃。
该涂层的一种制备方法是:采用Al作为基层时,利用两靶磁控溅射技术,在一个溅射真空室中安装了Ge和Al两只靶电极,两靶之间有隔离屏,1、首先制作Al基层,在纯氩气环境下,溅射真空室室内的压力10-2~10-3Pa,给Al靶加300V的电压,在玻璃管外壁沉积一层Al基层;2、然后通过通气管通入CO或C2H2气体,流量为30~50sccm(标准毫升每分钟),C和锗Ge沉积在Al基层上形成Ge-C红外增透层;3、然后停止通CO或C2H2,再通入N2并逐渐改变N2流量,形成Al-N/Al选择性吸收涂层,厚度为60~120nm,最后在纯N2条件下形成Al-N减反层,厚度为30~80nm。
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