[发明专利]一种含钽的SiC陶瓷先驱体的合成方法无效
| 申请号： | 200710192459.6 | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101186504A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 谢征芳;曹淑伟;王军;王浩;薛金根;牛加新 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | C04B35/571 | 分类号： | C04B35/571 |
| 代理公司： | 长沙星耀专利事务所 | 代理人： | 宁星耀 |
| 地址： | 410073湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic 陶瓷 先驱 合成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种含钽的SiC陶瓷先驱体的合成方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将软化点为80℃-450℃主链含硅的低分子量聚合物置于三口烧瓶中，并加入相当于低分子量聚合物质量0.5wt％-20wt％的钽金属有机化合物或氯化物；(2)利用本发明者研制的常压高温裂解装置，在Ar或N2或它们的混合物保护下，按照0.1℃-5℃/min升温速率，三口烧瓶升至350℃-500℃，裂解柱温度控制在450℃-550℃，进行热分解重排反应，反应时间0.5h-25h，冷却后得PTCS粗产品；(3)将该粗产品经二甲苯溶解、过滤，滤液在250℃-390℃进行减压蒸馏，冷却后即得黑色树脂状状PTCS。
2.根据权利要求1所述的含钽的SiC陶瓷先驱体的合成方法，其特征在于，所述软化点为80℃-450℃主链含硅的低分子量聚合物为液态聚硅碳硅烷、聚二甲基硅烷、聚碳硅烷或聚硅烷。
3.根据权利要求1或2所述的含钽的SiC陶瓷先驱体的合成方法，其特征在于，所述加入钽金属有机化合物或氯化物的质量为相当于低分子量聚合物质量的1wt％-15wt％。
4.根据权利要求1或2所述的含钽的SiC陶瓷先驱体的合成方法，其特征在于，所述三口烧瓶升至390℃-450℃，热分解重排反应时间为4h-15h。
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