[发明专利]加热装置

说明书

技术领域

本发明涉及用于加热半导体的晶片等的加热装置。

背景技术

在半导体器件的制造工序中，为了使用半导体制造装置在晶片上形成氧化膜而实施加热处理。作为该半导体制造装置中的晶片加热装置的一例有具备具有放置被加热物的加热面的圆盘状的陶瓷基体，并在该陶瓷基体中埋设有电阻发热体的陶瓷加热器。该陶瓷加热器的电阻发热体埋设在陶瓷基体的内部，通过向该电阻发热体供电使上述加热面发热。

对这种陶瓷加热器，要求对作为被加热物的晶片能够以稳定并维持在给定的温度上的方式进行加热。另外，要求在晶片的面内能够均匀地加热。因此，有在电阻发热体的平面配线上想办法或在与圆盘状的陶瓷基体中的加热面相反一侧的面上作为温度调节部件安装块状的散热器的陶瓷基体。该块状的散热器能够使热从陶瓷基体迅速地散去。因此，能够抑制加热面中的局部升温，这一点对在加热面的整个面内均匀地进行加热非常有用。

有该块状的散热器和陶瓷基体例如由硅酮树脂的粘接层接合的加热装置。但由于硅酮树脂耐热性较低，因此，限制加热装置的使用温度。另外，由于硅酮树脂导热性较差，因此，在均匀地加热维持晶片方面也有限。

于是，有块状的散热器和陶瓷基体通过由铝合金的热压接形成的接合层所接合的加热装置(专利文献1：日本特开平9-249465号公报)。

然而，至于陶瓷基体的加热面中的面内加热温度的均匀性，即使利用通过由铝合金的热压接形成的接合层的加热装置也未必充分。尤其是在对电阻发热体的热输入量较大的场合或陶瓷基体由导热率较低的材料构成的场合，加热的均匀(均热)性恶化，于是，通过该加热装置加热的晶片的表面温度的均匀性也恶化。既然晶片的表面温度的均匀性恶化，实施在晶片上的成膜或蚀刻的面内均匀性也下降，从而导致半导体器件的制造时的成品率下降。

发明内容

于是，本发明是有利地解决上述问题的技术方案，其目的在于提供改善加热面中的均热性，由此，能够在面内均匀地加热安装在加热面上的被加热物的加热装置。

为了达到上述目的，本发明的加热装置具备：具有加热面的基体；以及埋设在该陶瓷基体的内部的发热体，其特征在于，在该陶瓷基体内部的加热面和所述发热体之间具有导热性部件，上述导热性部件的导热率比陶瓷基体的导热率高。

根据本发明的加热装置，可在面内均匀地加热安装在加热面上的被加热物。

附图说明

图1是表示涉及本发明的加热装置的一个实施例的剖视图。

图2是表示现有的加热装置的一例的剖视图。

图3是表示本发明的加热装置的加热面温度分布的图。

图4是表示现有加热装置的加热面温度分布的图。

图中：

10一加热装置，11-陶瓷基体，12-电阻发热体，13-电介质层，14-导热性部件。

具体实施方式

下面，用附图说明本发明的加热装置的实施例。

图1是表示涉及本发明的加热装置的一个实施例的剖视图。此外，在下述的附图中，为了容易地理解加热装置的各个构成元件，以与实际加热装置不同的尺寸比率描述各个构成元件。因此，涉及本发明的加工装置不限定于图面上所图示的加工装置的尺寸比率。

图1所示的本实施例的加热装置10具有圆盘状的陶瓷基体11。该陶瓷基体11例如由氧化铝(Al₂O₃)系的陶瓷或氮化铝(AlN)系的陶瓷构成。

该具有圆盘状的陶瓷基体11的一方平面部构成用于放置作为被加热物的例如晶片(未图示)并加热的加热面11a。在该陶瓷基体11的内部，在与加热面11a的相反一侧即背面11b附近，埋设有电阻发热体12。

与电阻发热体12连接的加热器端子13从陶瓷基体的背面11b插入。通过从与该加热器端子13连接的未图示的外部电源向电阻发热体12供电，电阻发热体12发热，所生成的热在陶瓷基体11内从电阻发热体12朝向陶瓷基体11的加热面11a移动。由此，可加热放置在加热面11a上的晶片。

温度调节部件21紧贴陶瓷基体11的背面11b安装在陶瓷基体11上。在图示的例中，在形成于陶瓷基体11的周缘部上的多个孔的每个孔中插入螺栓23，通过该螺栓23螺纹结合在形成于温度调节部件21上的螺纹孔内而连结固定陶瓷基体11和温度调节部件21。另外，该陶瓷基体11和温度调节部件21的固定也可以是利用树脂粘接剂的粘接。