[发明专利]半导体电路后段工艺系统与方法

权利要求书

1.一种在半导体后段工艺中形成半导体晶圆的过孔的方法，包括：

图案化过孔，用以形成所述过孔；

在所述图案化的过孔内形成第一金属粘着层的一部分；

冷却所述晶圆；

在所述图案化的过孔内形成所述第一金属粘着层的剩余部分；以及

在所述图案化的过孔内的所述第一金属粘着层上形成第二金属粘着层。

2.如权利要求1所述的方法，在所述形成第一金属粘着层的一部分的步骤前，还包括清洁所述晶圆的步骤。

3.如权利要求2所述的方法，在所述清洁所述晶圆的步骤之后，且在所述形成所述第一金属粘着层的一部分的步骤之前，还包括冷却所述晶圆的步骤。

4.如权利要求1所述的方法，在所述形成第二金属粘着层的步骤之后，还包括冷却所述晶圆的步骤。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述形成第一金属粘着层的一部分的步骤，包括沉积所述第一金属粘着层的一部分于所述图案化的过孔内。

6.如权利要求5所述的方法，其中沉积所述第一金属粘着层的一部分的步骤使用物理气相沉积法。

7.如权利要求1所述的方法，其中形成所述第一金属粘着层的剩余部分的步骤，包括沉积所述第一金属粘着层的剩余部分于所述图案化的过孔内。

8.如权利要求7所述的方法，其中沉积所述第一金属粘着层的剩余部分的步骤使用物理气相沉积法。

9.如权利要求1所述的方法，其中形成所述第二金属粘着层的步骤，包括沉积所述第二金属粘着层于所述图案化的过孔内。

10.如权利要求9所述的方法，其中沉积所述第二金属粘着层的步骤使用有机金属化学气相沉积法。

11.如权利要求1所述的方法，还包括在所述图案化的过孔内所述第一以及第二金属粘着层内部形成金属插塞的步骤。

12.一种在半导体后段工艺中形成半导体晶圆过孔的方法，包括：

形成第一金属层；

图案化过孔，用以形成所述过孔；

形成第一金属粘着层的一部分，其位于所述图案化的过孔内；

冷却所述晶圆；

形成所述第一金属粘着层的剩余部分，其位于所述图案化的过孔内；以及

形成第二金属粘着层，其位于所述图案化的过孔内的所述第一金属粘着层内部；

形成金属插塞，其位于所述图案化的过孔内的所述第一以及第二金属粘着层内部。

13.如权利要求12所述的方法，在所述形成第一金属粘着层的一部分的步骤前，还包括清洁所述晶圆的步骤。

14.如权利要求13所述的方法，在所述清洁所述晶圆的步骤之后，且在所述形成所述第一金属粘着层的一部分的步骤之前，还包括冷却所述晶圆的步骤。

15.如权利要求12所述的方法，在所述形成第二金属粘着层的步骤之后，还包括冷却所述晶圆的步骤。

16.如权利要求12所述的方法，其中所述形成第一金属粘着层的第一部分的步骤，包括沉积所述第一金属粘着层的一部分于所述图案化的过孔内的步骤。

17.如权利要求16所述的方法，其中沉积所述第一金属粘着层的一部分的步骤使用物理气相沉积法。

18.如权利要求12所述的方法，其中形成所述第一金属粘着层的剩余部分的步骤，包括沉积所述第一金属粘着层的剩余部分于所述图案化的过孔内。

19.如权利要求18所述的方法，其中沉积所述第一金属粘着层的剩余部分使用物理气相沉积法。

20.如权利要求12所述的方法，其中形成所述第二金属粘着层的步骤，包括沉积所述第二金属粘着层于所述图案化的过孔内。

21.如权利要求20所述的方法，其中沉积所述第二金属粘着层的步骤，使用有机金属化学气相沉积法。

22.如权利要求12所述的方法，其中形成所述第一金属粘着层的一部分包括加热所述晶圆至约摄氏100～300℃。