[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，包括：

栅极布线，形成于绝缘基板上且包括栅电极；

数据布线，形成于所述栅极布线上且包括源电极和漏电极；

钝化层图案，形成于所述数据布线上，除了部分所述漏电极和像素区上之外；以及

像素电极，电连接到所述漏电极且包括氧化锌。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中所述像素电极包括Al₂O₃、AlF₃、B₂O₃、Ga₂O₃、Y₂O₃、SiO₂、SiO、TiO₂、ZrO₃、HfO₂和GeO₂中的一种或多种作为添加剂。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中所述像素电极包括掺铝的氧化锌ZAO。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，还包括：

栅极绝缘层图案，形成于所述栅极布线上，除了所述像素区上之外。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其中所述像素电极接触所述像素区中的所述绝缘基板。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，还包括：

有源层图案，设置于所述栅极布线和所述数据布线之间，

其中所述有源层图案覆盖整个所述数据布线。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，还包括：

有源层图案，设置于所述栅极布线和所述数据布线之间，

其中所述有源层图案是形成于所述栅电极上的岛。

8.一种薄膜晶体管基板，包括：

栅极布线，形成于绝缘基板上且包括栅电极；

数据布线，形成于所述栅极布线上且包括源电极和漏电极；

钝化层图案，形成于所述数据布线上，除了部分所述漏电极和像素区上之外；以及

像素电极，电连接到所述漏电极，接触所述绝缘基板，且包括氧化锌。

9.一种制造薄膜晶体管基板的方法，所述方法包括：

在绝缘基板上形成包括栅电极的栅极布线；

在所述栅极布线上形成包括源电极和漏电极的数据布线；

在除了部分所述漏电极和像素区之外的所述数据布线上形成钝化层图案；以及

形成电连接至所述漏电极且包括氧化锌的像素电极。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述钝化层图案的形成包括：

在所述栅极布线和所述数据布线上形成钝化层；

在所述钝化层上形成光致抗蚀剂图案以从所述漏电极和所述像素区去除所述钝化层；以及

采用所述光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模过蚀刻所述钝化层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中：

所述光致抗蚀剂图案包括第一区域和第二区域；

所述第一区域形成在所述栅极布线和所述数据布线上，除了部分所述漏电极之外；以及

所述第二区域形成在所述漏电极的末端和所述像素区之间，所述第二区域比所述第一区域薄。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述钝化层的过蚀刻包括：

采用所述光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模进行所述钝化层的第一蚀刻；

剥除所述第二区域；以及

进行所述钝化层的第二蚀刻，使得底切形成在所述第一区域之下的所述钝化层中。

13.根据权利要求10所述的方法，其中所述光致抗蚀剂图案形成在所述栅极布线和所述数据布线上，除了部分所述漏电极之外。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述钝化层的过蚀刻包括：

采用所述光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻所述钝化层，从而在所述钝化层中形成底切。