[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管基板及其制造方法，更具体而言，涉及具有降低的制造成本和缺陷率的薄膜晶体管基板和制造同样的像素电极的方法。

背景技术

液晶显示器包括两个基板和置于两个基板之间的液晶层。两个基板之一是薄膜晶体管基板。在薄膜晶体管基板中，在绝缘基板上形成多条布线。形成布线的工艺的代表性例子包括光刻工艺，其中构成物质被层叠且采用掩模工艺被构图。但是，由于光刻工艺包括很多过程，例如沉积薄膜、应用光致抗蚀剂、对准掩模、曝光、显影、蚀刻和剥除，因而工艺时间长，制造成本高。

顸离(lift-off)工艺已被使用以降低掩模工艺的数量。在顸离工艺中，在薄膜晶体管基板的钝化层和像素电极被使用时，采用光致抗蚀剂图案对钝化层构图，在整个基板表面上层叠导电物质，且利用剥离剂(stripper)同时去除光致抗蚀剂图案和在所述光致抗蚀剂图案上设置的一些用于像素电极的导电物质，以形成像素电极。

为了去除光致抗蚀剂图案和涂覆了导电物质的上表面，使剥离剂与光致抗蚀剂图案的侧表面或下表面接触。就此而言，剥离剂与光致抗蚀剂图案的接触区域必须足够大，以避免由剩余的光致抗蚀剂图案导致的不可接受的图案的形成。也就是说，需要对设置在光致抗蚀剂图案下面的钝化层进行过蚀刻，以在光致抗蚀剂图案中形成期望的底切(undercut)。还要求设置在光致抗蚀剂图案上的用于像素电极的导电物质的台阶覆盖不非常高。同时，在顶离工艺中，由于频繁地使用剥离剂，因而当用于像素电极的导电物质保留在剥离剂中未被溶解时，可能在薄膜晶体管基板上形成缺陷。此外，由于在顶离工艺期间去除了用于像素电极的导电物质，因而可能影响薄膜晶体管基板的制造成本的降低。

因此，仍需要开发出这样一种薄膜晶体管基板，其采用具有期望的台阶覆盖(step coverage)的用于像素电极的导电物质，且能合意地溶解在剥离剂中，从而以降低的成本改善顶离性能。

发明内容

本发明提供一种具有降低的制造成本和缺陷率的薄膜晶体管基板。本发明还提供一种制造薄膜晶体管基板的方法。

根据一个方面，本发明提供一种薄膜晶体管基板，包括：栅极布线，形成于绝缘基板上且包括栅电极；数据布线，形成于所述栅极布线上且包括源电极和漏电极；钝化层图案，形成于所述数据布线上，除了部分漏电极和像素区域上之外；以及像素电极，电连接到所述漏电极且包括氧化锌。

根据另一方面，本发明提供一种薄膜晶体管基板，包括：栅极布线，形成于所述绝缘基板上且包括栅电极；数据布线，形成于所述栅极布线上且包括源电极和漏电极；钝化层图案，形成于所述数据布线上，除了部分漏电极和像素区上之外；以及像素电极，电连接到所述漏电极，与所述绝缘基板接触，且包括氧化锌。

根据又一方面，本发明提供一种薄膜晶体管基板的制造方法。所述方法包括：在绝缘基板上形成包括栅电极的栅极布线；在所述栅极布线上形成包括源电极和漏电极的数据布线；在所述数据布线上除了部分漏电极和像素区之外处形成钝化层图案；以及形成电连接到所述漏电极的像素电极。所述像素电极包括氧化锌。

附图说明

通过参考附图详细描述其优选实施例，本发明的上述和其他特征和优点将变得更加显见，在附图中：

图1A是根据本发明第一实施例的薄膜晶体管基板的布局图；

图1B是沿图1A的A-A′线得到的薄膜晶体管基板的截面图；

图2到图13是示出根据本发明第一实施例的薄膜晶体管基板的制造方法的截面图；

图14到图17是示出根据本发明第二实施例的薄膜晶体管基板的制造方法的截面图；

图18示意性示出用于像素电极的导电物质在剥离剂中的溶解度，其中采用所述导电物质制造根据本发明第一实施例的薄膜晶体管基板；

图19示意性示出用于制造根据本发明第一实施例的薄膜晶体管基板的、用于像素电极的导电物质的台阶覆盖；

图20示意性示出用于制造根据本发明第一实施例的薄膜晶体管基板的、用于像素电极的导电物质的顶离性能；

图21示意性示出采用根据本发明第一实施例的方法制造的薄膜晶体管基板的性能特征；

图22A是根据本发明第三实施例的薄膜晶体管基板的布局图；

图22B是沿图22A的B-B′线得到的薄膜晶体管基板的截面图；

图23到29是示出根据本发明第三实施例的薄膜晶体管基板的制造方法的截面图；以及

图30到33是示出根据本发明第三实施例的变型的薄膜晶体管基板的制造方法的截面图。

具体实施方式