[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体芯片，其具有在规定位置处配置有外部连接用电极的层间膜；

再配线，其与所述电极导通，且设置在所述层间膜上；

绝缘层，其覆盖所述再配线；

突起，其经由在所述绝缘层上形成的开口，与所述再配线导通；

焊料端子，其设置在所述突起上，

在所述绝缘层上设置感光性树脂膜，利用所述感光性树脂膜覆盖所述层间膜的外周缘。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述半导体芯片的外周缘上设置使与所述层间膜相对的背面侧的外周缘比所述层间膜侧的外周缘向外侧更突出的阶梯部，

所述半导体芯片的所述层间膜侧的外周缘被所述感光性树脂膜覆盖。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

覆盖所述半导体芯片的所述层间膜侧的外周缘的所述感光性树脂膜的厚度尺寸小于与所述层间膜相对的背面侧的外周缘的突出尺寸。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

通过使所述感光性树脂膜的上表面的高度低于所述突起的上表面的高度，所述突起从所述感光性树脂膜突出。

5.一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置在由位置线划分的、晶片上的各半导体芯片的形成区域上设置层间膜，并在所述层间膜上设置再配线，所述再配线与所述半导体芯片中的外部连接用的电极连接，并在所述再配线的规定位置处设置电连接的突起，

所述半导体装置的制造方法的特征在于，具有：

在形成所述突起后，在所述晶片上，沿所述位置线形成槽的工序；

在形成有所述槽的所述晶片上，形成感光性树脂膜的工序；

将所述感光性树脂膜图案化，并在所述突起上的所述感光性树脂膜上形成开口的工序；

利用灰化，使所述感光性树脂膜薄膜化的工序；

在所述突起上形成焊料端子的工序；

在所述槽内形成比所述槽的宽度窄的切断槽，并对所述晶片进行切割的工序。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在将所述感光性树脂膜图案化的工序中，去除所述突起上的所述感光性树脂膜，并去除所述槽内的所述感光性树脂膜，在所述槽内形成宽度窄于所述槽的宽度，但宽于所述切断槽的宽度的所述感光性树脂膜的蚀刻槽，

在所述切割中，在所述蚀刻槽内形成所述切断槽。