[发明专利]动态随机存取存储器元件

权利要求书

1. 一种动态随机存取存储器元件，包括有：

半导体基底，该半导体基底包括有存储器阵列区域和周边电路区域， 该存储器阵列区域设有第一凹入式栅极而该周边电路区域设有第二凹入式 栅极，其中该第一凹入式栅极和该第二凹入式栅极皆嵌入于该半导体基底 中；

第一栅极氧化层，介于该第一凹入式栅极和该半导体基底之间，该第 一栅极氧化层具有均匀厚度；以及

第二栅极氧化层，介于该第二凹入式栅极和该半导体基底之间，该第 二栅极氧化层具有非均匀厚度。

2. 如权利要求1所述的动态随机存取存储器元件，其中该第一凹入式 栅极的宽度小于该第二凹入式栅极的宽度。

3. 如权利要求1所述的动态随机存取存储器元件，其中该第一和第二 凹入式栅极为N⁺掺杂多晶硅栅极。

4. 如权利要求1所述的动态随机存取存储器元件，其中该第一和第二 凹入式栅极包括有多晶硅、金属或者其组合。

5. 如权利要求2、3或4所述的动态随机存取存储器元件，其中该第一 凹入式栅极和该第二凹入式栅极嵌入该半导体基底的深度介于1500埃至 2500埃之间。