[发明专利]像素阵列基板

权利要求书

1.一种像素阵列基板，包括：

基材，具有显示区；

像素阵列，由绝缘层分隔的多条平行的扫描线及多条平行的数据线交错形成于该显示区中；以及

多个储存电容，分别设置于该像素阵列中，这些储存电容中的各储存电容包括：

一共同电极线，设置于该基材上；及

一导电层，设置于该共同电极线之上，并与该共同电极线以该绝缘层分隔；

其中，位于这些扫描线中的各扫描线与这些数据线中的各数据线之间的该绝缘层厚度大于这些储存电容中的各储存电容的该绝缘层厚度，

其中该基材具有布线区，位于该显示区之外，该像素阵列基板还包括：

多条第一扫描线，设置于该布线区的该基材上，由位于该显示区的这些扫描线中的部分扫描线延伸而成；

多条第二扫描线，设置于这些第一扫描线中的部分第一扫描线之上，并与这些第一扫描线以该绝缘层分隔；

半导体层，形成于该绝缘层之上，并形成于这些第二扫描线与这些第一扫描线交错的部分；

保护层，设置于这些第二扫描线中的部分第二扫描线上，部分的这些扫描线上无该保护层以暴露出部分的这些扫描线的表面，由此形成多个接触孔；以及

多个像素电极，形成于这些接触孔上，以电性连接这些第二扫描线及这些扫描线；

其中，该布线区的该绝缘层厚度大于这些储存电容中的各储存电容的该绝缘层厚度。

2.如权利要求1所述的像素阵列基板，其中该布线区的该绝缘层厚度实质上大于360nm，且这些储存电容中的各储存电容的该绝缘层厚度实质上小于360nm。

3.如权利要求1所述的像素阵列基板，其中位于这些扫描线中的各扫描线与这些数据线中的各数据线之间的该绝缘层厚度实质上大于360nm，且这些储存电容中的各储存电容的该绝缘层厚度实质上小于360nm。

4.如权利要求1所述的像素阵列基板，还包括另一绝缘层，在这些扫描线中的各扫描线与这些数据线中的各数据线之间的该绝缘层上。

5.一种像素阵列基板，包括：

基材，具有显示区；

像素阵列，由绝缘层分隔的多条平行的扫描线及多条平行的数据线交错形成于该显示区中；以及

多个储存电容，分别设置于该像素阵列中，这些储存电容中的各储存电容包括：

一共同电极线，设置于该基材上；及

一导电层，设置于该共同电极线之上，并与该共同电极线以该绝缘层分隔；

其中，位于这些扫描线中的各扫描线与这些数据线中的各数据线之间的该绝缘层厚度大于这些储存电容中的各储存电容的该绝缘层厚度，

其中该像素阵列基板还包括：

多个像素电极，分别设置于该像素阵列中且设置于该基材之上，并与该基材以该绝缘层分隔；

其中，这些扫描线中的各扫描线与这些数据线中的各数据线之间的该绝缘层厚度大于这些像素电极中的各像素电极与该基材之间直接夹置的该绝缘层厚度。

6.如权利要求5所述的像素阵列基板，其中这些扫描线中的各扫描线与这些数据线中的各数据线之间的该绝缘层厚度实质上大于360nm，且这些像素电极中的各像素电极与该基材之间直接夹置的该绝缘层厚度实质上小于360nm。

7.如权利要求5所述的像素阵列基板，其中位于这些扫描线中的各扫描线与这些数据线中的各数据线之间的该绝缘层厚度实质上大于360nm，且这些储存电容中的各储存电容的该绝缘层厚度实质上小于360nm。

8.如权利要求5所述的像素阵列基板，还包括另一绝缘层，在这些扫描线中的各扫描线与这些数据线中的各数据线之间的该绝缘层上。