[发明专利]用于制造硅半导体晶片的方法及装置

权利要求书

1、用于制造硅半导体晶片的方法，其包括从坩埚中所含的熔体拉伸单晶并由该拉伸的单晶切割半导体晶片，在拉伸所述单晶期间在与所述熔体的边界处将热量导入生长的单晶的中心，并对该熔体施加CUSP磁场，从而使该CUSP磁场的中性面与所述单晶的拉伸轴相交于与所述熔体表面的距离至少为50毫米处。

2、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述CUSP磁场的中性面与所述单晶的拉伸轴相交于距离所述熔体表面50至150毫米处。

3、根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，以比例V/G拉伸所述单晶，从而使至少75％的表面上不产生A螺旋缺陷及尺寸大于30纳米的COP缺陷，其中V代表拉伸速率，而G代表所述单晶与熔体之间的边界处的轴向温度梯度。

4、根据权利要求1至3之一所述的方法，其特征在于，控制将氧引入单晶内的过程，从而在所述半导体晶片内无法检测出OSF缺陷。

5、根据权利要求1至4之一所述的方法，其特征在于，用随着所述坩埚移动的热源加热所述坩埚的底部位于中心的区域。

6、根据权利要求1至5之一所述的方法，其特征在于，用静止设置的热源加热所述坩埚的底部。

7、根据权利要求1至6之一所述的方法，其特征在于，所述单晶与所述坩埚同向旋转，并且所述单晶比所述坩埚转得更快。

8、根据权利要求1至7之一所述的方法，其特征在于，从在空位附聚物形核的温度范围内的单晶通过冷却排出热量。

9、根据权利要求1至8之一所述的方法，其特征在于，在与所述熔体表面相邻的单晶边缘处进行加热。

10、根据权利要求1至9之一所述的方法，其特征在于，所述半导体晶片的直径为300毫米，并以至少0.35毫米/分钟的速率拉伸所述单晶。

11、用于从坩埚中所含的熔体拉伸单晶的装置，其包括产生具有中性面的CUSP磁场的磁线圈，该中性面与所述单晶的拉伸轴相交于熔体表面上方的距离至少为50毫米处。

12、根据权利要求11所述的装置，其特征在于加热所述坩埚底部位于中心的区域的移动热源。

13、根据权利要求11或12所述的装置，其特征在于加热所述坩埚底部的静止热源。

14、根据权利要求11至13之一所述的装置，其特征在于具有涂黑的内表面并且围绕所述单晶的热交换器。

15、根据权利要求11至14之一所述的装置，其特征在于对所述单晶进行屏蔽的挡热板，其下边缘位于距离所述熔体的表面10至50毫米处。

16、根据权利要求11至15之一所述的装置，其特征在于在与所述熔体表面相邻的单晶边缘处进行加热的环形热源。