[发明专利]荧光体、其制备方法和发光装置

权利要求书

1.一种荧光体，其由下列通式(A)至(C)中任一种表示，其中光发射在比峰值波长长的可见光波长区域中的反射率为95％以上：

二价铕-活化的氧氮化物荧光体，它是基本上由通式(A)：Eu_aSi_bAl_cO_dN_e表示的β-型SiAlON(在通式(A)中，满足0.005≤a≤0.4，b+c＝12和d+e＝16)；

二价铕-活化的氧氮化物荧光体，它是基本上由通式(B)：

MI_fEu_gSi_hAl_kO_mN_n表示的α-型SiAlON(在通式(B)中，MI表示选自Li、Na、K、Cs、Mg、Ca、Sr和Ba中的至少一种元素，并且满足0＜f≤3.0，0.005≤g≤0.4，h+k＝12和m+n＝16)；或

二价铕-活化的氮化物荧光体，它基本上由通式(C)：

(MII_1-pEu_p)MIIISiN₃表示(在通式(C)中，MII是碱土金属元素并且表示选自Mg、Ca、Sr和Ba中的至少一种元素，而MIII包含三价金属元素，并且表示选自Al、Ga、In、Sc、Y、La、Gd和Lu中的至少一种元素，并且满足0.001≤p≤0.05)。

2.根据权利要求1所述的荧光体，其中所述荧光体是二价铕-活化的氧氮化物荧光体，所述的二价铕-活化的氧氮化物荧光体是基本上由通式(B)表示的α-型SiAlON，并且在所述通式(B)中，MI是选自Li和Ca中的至少一种元素。

3.根据权利要求1所述的荧光体，其中所述荧光体是基本上由通式(C)表示的二价铕-活化的氮化物荧光体，并且在通式(C)中，MIII是选自Al、Ga和In中的至少一种元素。

4.一种制备权利要求1所述的荧光体的方法，所述方法包括将覆盖有细粒二氧化硅的氮化铝混合到用于所述荧光体的材料内。

5.根据权利要求4所述的制备荧光体的方法，其中覆盖氮化铝的所述二氧化硅的平均粒径为10至200nm，并且相对于氮化铝占0.01至15重量％。

6.根据权利要求4所述的制备荧光体的方法，其中在不使用机械研磨用装置的情况下，将用于所述荧光体的材料在惰性气氛中混合。