[发明专利]荧光体、其制备方法和发光装置

说明书

本非临时申请基于2006年11月24日提交日本专利局的日本专利申请2006-317524，将其全部内容通过引用结合到此。

技术领域

本发明主要涉及用于发光装置的氧氮化物荧光体和氮化物荧光体，以及制备它们的方法，并且还涉及使用上述荧光体的具有光转换器的发光装置。

背景技术

作为被期望实现低功耗、小型化，高强度和高色域的下一代发光器件，将半导体发光器件和荧光体结合起来的发光装置已经引起了关注，并且对它的研究和开发正在积极地进行。作为从发光器件发射的初级光，通常使用的是从紫外光至蓝光范围的光，更具体地是从380nm至480nm的光。而且，已经提出了适合于这种采用各种荧光体的应用的光转换器。

此外，近年来，对于通过不仅提高发光效率(亮度)而且提高输入能量，以使这类发光装置实现更高的亮度，进行了尝试。当输入能量提高时，必须有效地分散包括光转换器在内的整个发光装置的热量。为了达到这样，进行了发光装置的整体结构和材料的开发，然而，在运行过程中，发光器件和光转换器内的温度升高仍然不可避免。

当前，作为显示白光的发光装置，主要使用的是发射蓝光(峰值波长：约450nm)的发光器件与三价铈-活化的(Y，Gd)₃(Al，Ga)₅O₁₂荧光体或二价铕-活的化(Sr，Ba，Ca)₂SiO₄荧光体的组合，所述三价铈-活化(Y，Gd)₃(Al，Ga)₅O₁₂荧光体或二价铕-活化(Sr，Ba，Ca)₂SiO₄荧光体被上述蓝光激发并且显示黄光发射。

然而，尤其是，在三价铈-活化的(Y，Gd)₃(Al，Ga)₅O₁₂荧光体中，存在的技术问题在于，不能将输入能量设置在高状态，因为相比于在25℃时100％的辉度(亮度)，在100℃时的辉度降低至约85％。因此，具有优异温度特性的氧氮化物荧光体或氮化物荧光体引起了关注，并且取得了积极的发展。

然而，在这种氧氮化物荧光体或氮化物荧光体中，尽管具有优异特性，但是在可见区的反射率不够高，因而存在的技术问题在于，它吸收荧光体本身发射的光或其它荧光体发射的光。因此，在这种氧氮化物荧光体或氮化物荧光体中，迫切需要提高反射率。

对于这种氧氮化物荧光体或氮化物荧光体，例如，日本公开专利公布2002-363554(专利文献1)描述了α-型SiAlON(SIALON)。具体地，专利文献1描述了被不同量的Eu²⁺离子活化的Ca-α-SiAlON荧光体作为代表性的氧氮化物荧光体或氮化物荧光体。然而，专利文献1没有描述关于荧光体在可见区的反射率。

在日本公开专利公布2006-089547(专利文献2)中，描述了为绿色荧光体的β-SiAlON:Eu以及为黄色荧光体的Ca-α-SiAlON:Eu。然而，专利文献2也没有描述关于荧光体在可见区的反射率。

此外，日本公开专利公布2004-182780(专利文献3)描述了由L_xM_yN_{((2/3)x+(4/3)y)}:R或L_xM_yO_zN_{((2/3)x+(4/3)y-(2/3)z)}:R表示的氮化物荧光体，该氮化物荧光体发射黄色到红色区的光。然而，即使在专利文献3中，也没有描述关于荧光体在可见区的反射率。

日本公开专利公布10-228868(专利文献4)描述了，在铕-掺杂的氧化钇、锰-掺杂的硅酸锌、铕-掺杂的钡-镁-铝氧化物等的荧光体粒子上，提供防反射的二氧化硅膜等。然而，专利文献4没有描述荧光体本身的反射率。

日本公开专利公布2004-155907(专利文献5)公开了涉及具有绿色体色的锰-活化的铝酸盐荧光体的发明，该荧光体被真空UV光束激发并且发射峰值波长为约515nm的绿色光。提高了在峰值波长附近或更低处的光谱反射率，从而降低了从荧光体反射的光和激发光或真空UV光的吸收，因而在辉度上提高了光发射。然而，本发明并不关注比峰值波长长的波长的反射率，并且既不考虑从其它荧光体发射的光的吸收，也不关注可见光的激发。

发明内容