[发明专利]半导体装置制造用耐热性胶粘带

说明书

技术领域

本发明涉及用于制造半导体装置的耐热性胶粘带。

背景技术

近年，在LSI的组装技术中，CSP(芯片尺寸级封装)技术受到瞩目。该技术中，对于以QFN(无引线四方扁平封装)为代表的引线端子引入到封装内部的形态的封装，是在小型化和高集成方面特别受瞩目的封装形态之一。这样的QFN的制造方法中，近年来，下述制造方法特别受瞩目，即，将多个QFN用芯片整齐地排列在引线框的封装图案区域的管芯焊盘上，在模具的模腔内用密封树脂一并密封后，通过切断切分成单个的QFN结构物，从而飞跃性地提高引线框单位面积的生产性。

在这样的将多个半导体芯片一并密封的QFN制造方法中，在树脂密封时由模塑模具锁住的区域只是扩展到封装图案区域更外侧的树脂密封区域的外侧。因此在封装图案区域，特别是其中央部分，不能以充分的压力将外引线面压在模塑模具上，抑制密封树脂漏出到外引线一侧是非常困难的，并容易产生QFN的端子等被树脂覆盖的问题。

因此，对于如上所述的QFN的制造方法，在引线框的外引线一侧贴附耐热性胶粘带，并通过利用了该耐热性胶粘带的自胶粘力(遮挡)的密封效果而在树脂密封时防止树脂向外引线一侧泄漏的制造方法被认为是特别有效的。

在这样的制造方法中，在引线框上载置半导体芯片后或者在实施了引线键合之后进行耐热性胶粘带的贴合，在操作方面实质上是困难的，因此希望耐热性胶粘带在最初阶段贴合在引线框的外焊盘面上，然后经过半导体芯片的载置工序和引线键合的工序，一直贴合到采用密封树脂的密封工序。因此，作为耐热性胶粘带，不仅只是防止密封树脂的漏出，而且要求耐受半导体芯片的载置工序的高度的耐热性、以及不会对引线键合工序中的纤细的操作性带来障碍等满足这些所有工序的特性。作为满足该要求的胶带，开发了耐热性胶粘带(专利文献1)。

但是，在进行引线键合、树脂密封等工序的高温时，胶粘剂难以发挥以往的胶粘特性，对被粘附物的粘附力显著降低。因此，由于引线键合时的冲击等，胶粘带从被粘附物上剥离，结果在树脂密封时有时会产生密封树脂泄漏到引线框/胶粘带之间等问题。

专利文献1：特开2004-14930号公报

发明内容

本发明是鉴于上述问题进行的，其目的在于提供一种可以制造半导体装置的耐热性胶粘带，该胶粘带在近年的精密QFN中，即使是对于同时密封特别多的封装的大型矩阵图案类型，也通过耐热性胶粘带很好地防止在密封工序中的树脂泄漏，并且粘贴的胶带不易在一系列的工序或胶带的剥离工序中带来障碍。

本申请的发明人等为了解决上述以往的问题，对耐热性胶粘带的物性、材料、厚度等进行了深入研究。结果发现，通过使用由基材层、和包含亲水性层状硅酸盐和胶粘剂的胶粘层构成的耐热性胶粘带，可以实现上述目的，以至完成了本发明。

即，本发明涉及一种半导体装置制造用耐热性胶粘带，其是在半导体装置的制造方法中使用的耐热性胶粘带，所述半导体装置的制造方法至少具有如下工序：在金属制引线框的管芯焊盘上键合半导体芯片的载置工序，所述金属制引线框在外焊盘一侧贴合了耐热性胶粘带；用密封树脂将半导体芯片侧单面密封的密封工序、和将密封的结构物切断成单个的半导体装置的切断工序，其中上述耐热性胶粘带具有基材层、和包含亲水性层状硅酸盐和胶粘剂的胶粘层。

在上述半导体装置的制造方法中使用的耐热性胶粘带优选在175℃气氛下测定的粘附力为0.2N/19mm宽以上。

在上述半导体装置的制造方法中使用的耐热性胶粘带优选以粘附在不锈钢板上的状态在200℃下加热1小时后，基于JIS Z0237测定的粘附力为5.0N/19mm宽以下。测定在常温(23℃)进行。

发明效果

本发明的耐热性胶粘带可以很好地防止在密封工序中的树脂泄漏，通过使用亲水性层状硅酸盐，提高胶粘剂的凝聚力，并可以保持在半导体制造工序中的温度气氛下对被粘附物的粘附力。另外，即使在200℃左右的高温加热处理后，也可以从被粘附物上剥离而不会留下残胶。此外，通过使用在高温加热处理时也不易分解的含有共聚物乳液的水分散型丙烯酸类胶粘剂，可以减少气体的发生量。气体发生量的降低可以抑制半导体芯片的污染，并可以降低剥离力，因此剥离性优异，并且不会在被粘附物上留下残胶。可以制造通过耐热性胶粘带很好地防止在密封工序中的树脂泄漏，并且粘贴的耐热性胶粘带不易在一系列的工序或胶带的剥离工序中带来障碍的半导体装置。

附图说明

图1是示出本发明的半导体装置的制造方法的一例的工序图。