[发明专利]气体集成单元

说明书

技术领域

本发明涉及一种具有气体单元和清扫气体单元的气体集成单元。

背景技术

以往，在半导体制造装置中，向处理室的晶片上每次供给一定量的作用气体，在晶片上进行成膜。晶片被供给多种作用气体，层叠成膜。由于作用气体的流量影响成膜质量，因而半导体制造装置将用于控制作用气体供给的搭载多个工艺气体单元而成的气体集成单元配置在处理室的上游侧。

为了使成膜质量良好，需要对供给晶片的作用气体的成分进行严格的管理。因此，气体集成单元，将清扫气体单元连接在各工艺气体单元上而使清扫气体汇合，并除去残留在工艺气体单元的流路内的作用气体。由此，气体集成单元可以将作用气体调整成规定成分并供给晶片。

专利文献1  日本专利公开平11-50257号公报

但是，现有的气体集成单元中，清扫气体单元为了控制清扫气体的供给而具有多个流体控制部件，由于该清扫气体单元并排设置在气体单元的旁边，因而底座空间变大。

发明内容

本发明是为了解决上述问题点而做出的，目的在于提供一种可以减小底座空间的气体集成单元。

本发明的气体集成单元，具有如下的构成。

(1)气体集成单元，设有第一气体单元，控制第一气体的供给；第二气体单元，与上述第一气体单元连接，通过多个流体控制部件控制汇合到上述第一气体单元的第二气体；和层叠块，叠置在上述第一气体单元上，并且，将上述流体控制部件的一部分叠置在上述层叠块上。

并且，流体控制部件的一部分，例如指质量流量控制器、质量流量计、止回阀、节流孔、气动阀等控制气体的部件。流体控制部件的一部分可以是一个流体控制部件，也可以是多个流体控制部件。

(2)在(1)所述的发明中，上述层叠块以覆盖上述第一气体单元中所包含的配管的方式设置。

(3)在(1)所述的发明中，上述层叠块，具有用于固定载置有上述流体控制部件的一部分的下部流路块的固定部、和与上述第一气体单元抵接的保持槽，并安装有加热器。

(4)在(1)所述的发明中，上述流体控制部件是质量流量控制器或者质量流量计。

发明效果

具有上述构成的本发明的气体集成单元，在控制第一气体供给的第一气体单元上叠置层叠块，进而将构成第二气体单元的流体控制部件的一部分叠置在层叠块上。由此，构成第二气体单元的流体控制部件的一部分与第一气体单元成为二段构造，因而气体集成单元的底座空间减小了叠置在层叠块上的流量控制部件的底座空间的量。因此，根据本发明的气体集成单元，可以减小底座空间。本发明的气体集成单元，由于以覆盖第一气体单元中所包含的配管的方式配置层叠块，因而可以以收敛在第一气体单元的宽度尺寸内的方式配置层叠块。

本发明的气体集成单元，相对固定在层叠块上的下部流路块固定流体控制部件的一部分，并通过加热器加热层叠块。与层叠块的保持槽抵接的第一气体单元，由于从层叠块传递加热器的热而被加热，例如可以避免第一气体在第一气体单元的流路内聚集的不良情况。由此，根据本发明的气体集成单元，可以兼具有在第一层叠块上固定下部流路块的作用、和将加热器的热传递给第一气体单元的作用。

本发明的气体集成单元，由于将底座空间较大的质量流量控制器或者质量流量计叠置在层叠块上，因而可以有效地减小单元整体的底座空间。

附图说明

图1是气体集成单元的回路图。

图2是将图1所示的回路具体化的本发明的实施方式中的气体集成单元的俯视图。

图3是图2的A-A剖视图。

图4是图2所示的层叠块的俯视图。

图5是表示从图4中的箭头B方向观察到的层叠块的图。

图6是图4的C-C剖视图。

图7是不使用层叠块而将图1所示的回路具体化了的气体集成单元的图。

具体实施方式

接着，参照附图对本发明的气体集成单元的一个实施方式进行说明。

(回路说明)

图1是气体集成单元1的回路图。

气体集成单元1，设置在未图示的气体罐和未图示的处理室之间，为了将未图示的气体罐的作用气体每次以一定量供给未图示的处理室，设有第一～第三工艺气体管线2A、2B、2C。此外，气体集成单元1设有用于清扫第一～第三工艺气体管线2A、2B、2C的清扫气体管线6。