[发明专利]半导体集成电路器件及其制造方法

权利要求书

1.一种具有多个存储单元的半导体集成电路器件，每个所述存储单元具有包括一对驱动MISFET和一对负载MISFET的一对反相器和一对传输MISFET，所述一对驱动MISFET的栅极和漏极分别彼此交叉连接，所述半导体集成电路器件包括：

在所述驱动MISFET上方形成的夹层绝缘薄膜；

连接所述栅极和漏极并在从所述栅极延伸到所述漏极的连接孔内形成的第一导电层；

在所述第一导电层上方形成的下电极；

在所述下电极上方形成的电容绝缘薄膜；

在所述电容绝缘薄膜上方形成的上电极；以及

与所述负载MISFET的源极电连接并在其侧壁与所述上电极连接的第二导电层。

2.一种具有多个存储单元的半导体集成电路器件，每个所述存储单元具有包括一对驱动MISFET和一对负载MISFET的一对反相器和一对传输MISFET，所述一对驱动MISFET的栅极和漏极分别彼此交叉连接，所述半导体集成电路器件包括：

在所述驱动MISFET上方形成的夹层绝缘薄膜；

连接所述栅极和漏极并在从所述栅极延伸到所述漏极的连接孔内形成的第一导电层；

在所述负载MISFET的源极上方形成的第二导电层；

在所述第一导电层上方形成的下电极；

在所述下电极上方形成的电容绝缘薄膜，该薄膜在所述第二导电层上方具有一个开口；

在所述电容绝缘薄膜和所述开口上方形成的上电极；以及

在所述上电极上方形成的、与所述第二导电层电连接的第三导电层。

3.一种具有多个存储单元的半导体集成电路器件，每个所述存储单元包括作为部件的一对其栅极和漏极分别交叉连接的n沟道型MISFET，所述半导体集成电路器件包括：

在所述一对n沟道型MISFET上方形成的夹层绝缘薄膜；

交叉连接所述一对n沟道型MISFET的所述栅极和漏极的一对导电层，所述各个导电层在从所述栅极延伸到所述漏极的连接孔内形成；

分别在所述一对导电层上方形成的一对下电极；

在所述一对下电极上方形成，并且在所述一对下电极上方具有开口的电容绝缘薄膜；以及

在所述电容绝缘薄膜和所述开口上方形成的上电极。

4.一种具有多个存储单元的半导体集成电路器件，每个所述存储单元具有包括一对驱动MISFET和一对负载MISFET的一对反相器和一对传输MISFET，所述一对驱动MISFET的栅极和漏极彼此分别交叉连接，所述半导体集成电路器件包括：

在所述驱动MISFET上方形成的夹层绝缘薄膜；

连接所述栅极和漏极的第一导电层，所述第一导电层在从所述栅极延伸到所述漏极的连接孔内形成，并具有在其表面形成的凹面部分；

在包括所述凹面部分内部在内的所述第一导电层上方形成的电容绝缘薄膜；

在所述电容绝缘薄膜上方形成的上电极；以及

与所述负载MISFET的源极电连接并在其侧壁与所述上电极连接的第二导电层。

5.一种具有多个存储单元的半导体集成电路器件，每个所述存储单元具有包括一对驱动MISFET和一对负载MISFET的一对反相器和一对传输MISFET，所述一对驱动MISFET的栅极和漏极彼此分别交叉连接，所述半导体集成电路器件包括：

在所述驱动MISFET上方形成的夹层绝缘薄膜；

连接所述栅极和漏极的第一导电层，所述第一导电层在从所述栅极延伸到所述漏极的连接孔内形成，并具有在其表面形成的凹面部分；

在包括所述凹面部分内部在内的所述第一导电层上方形成的电容绝缘薄膜，该薄膜在第二导电层上方具有一个开口；

在所述电容绝缘薄膜和所述开口上方形成的上电极；以及

在所述上电极上方形成的、与所述第二导电层电连接的第三导电层。