[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，包括：

提供半导体基底；

形成“N”型金属氧化物半导体装置于该半导体基底的表面上，该步骤包括形成第一源极/漏极电极于该“N” 型金属氧化物半导体装置的第一源极/漏极区上，其中该第一源极/漏极电极具有第一势垒高度；

形成“p”型金属氧化物半导体装置于该半导体基底的该表面上，其步骤包括形成第二源极/漏极电极于该“P”型金属氧化物半导体装置的第二源极/漏极区上，其中该第二源极/漏极电极具有第二势垒高度，且其中该第一势垒高度与该第二势垒高度不同；

形成具有第一固有应力的第一应力薄膜，于该“N”型金属氧化物半导体装置上；以及

形成具有第二固有应力的第二应力薄膜，于该“P”型金属氧化物半导体装置上，其中该第一固有应力具有较大于该第二固有应力的拉伸力。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该“P” 型金属氧化物半导体装置与该“N”型金属氧化物半导体装置的栅极长度约小于65纳米。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该第一源极/漏极电极选自实质上包含铂、锰、钯、钴、镍或其组合所组成的族群。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该第二源极/漏极电极选自实质上包含铒、钬、钛、铪、锆、镱、钴、镍或其组合所组成的族群。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中至少在形成该第一与该第二源极/漏极电极的步骤之一，包含选择性的无电电镀沉积。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其中形成该第一及该第二源极/漏极电极的步骤包括：

于该第一与该第二源极/漏极区其中之一，进行无电电镀沉积，以形成源极/漏极电极；

形成掩模层于该源极/漏极电极上；以及

形成金属层于余留未被该掩模层覆盖的源极/漏极区上。

7.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其中该形成第一及第二源极/漏极电极的步骤各自包括：

形成第一掩模层，以遮蔽该第一及该第二源极/漏极区其中之一；

以毯覆式形成金属层；

进行回火工艺，以在未遮蔽的源极/漏极区上形成硅化物区；

移除该金属层未反应的部分；

移除该第一掩模层；

形成第二掩模层于该硅化物区上；以及

于该第一与该第二源极/漏极区其中之一，进行无电电镀沉积，以形成该第一或该第二源极/漏极电极。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其中该第一掩模为具有固有拉伸应力的介电质硬式掩模。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该第一势垒高度约小于0.4eV。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该第二势垒高度约大于0.7eV。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该第二势垒高度约大于该第一势垒高度0.15eV。

12.一种半导体结构的形成方法，包括：

提供半导体基底；

形成第一金属氧化物半导体装置的第一源极/漏极区，其中至少一部分的该第一源极/漏极区位于该半导体基底中；

形成第二金属氧化物半导体装置的第二源极/漏极区，其中至少一部分的该第二源极/漏极区位于该半导体基底中，且其中该第二金属氧化物半导体装置与该第一金属氧化物半导体装置的导电形式相反；

遮蔽该第二金属氧化物半导体装置；

形成具有第一势垒高度的第一源极/漏极电极于该第一源极/漏极区上；

遮蔽该第一金属氧化物半导体装置；

形成具有第二势垒高度的第二源极/漏极电极于该第二源极/漏极区上，其中该第一势垒高度不同于该第二势垒高度；

形成具有第一固有应力的第一应力薄膜于该第一金属氧化物半导体装置上；以及

形成具有第二固有应力的第二应力薄膜于该第二金属氧化物半导体装置上，其中该第一固有应力的拉伸力大于该第二固有应力的拉伸力。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其中该第一与该第二金属氧化物半导体装置的栅极长度约小于65纳米。