[发明专利]有机电致发光元件和其制造方法无效

专利信息
申请号: 200710194773.8 申请日: 2007-12-06
公开(公告)号: CN101197429A 公开(公告)日: 2008-06-11
发明(设计)人: 崔东权 申请(专利权)人: 周星工程股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人: 孟锐
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 有机 电致发光 元件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种有机电致发光(EL)元件,其包含:

有机发光层;

电子传输层;

电子注入层;

形成于衬底顶部的电极;和

通过原子层沉积法形成于所述电子传输层与所述电子注入层或所述电子注入层与所述电极之间的缓冲层。

2.根据权利要求1所述的有机EL元件,其进一步包含:

形成于所述衬底与所述有机发光层之间的另一电极、电洞注入层和电洞传输层。

3.根据权利要求1所述的有机EL元件,其中所述缓冲层包括绝缘层。

4.根据权利要求1所述的有机EL元件,其中所述缓冲层包括二氧化硅膜或铁电膜。

5.根据权利要求1所述的有机EL元件,其中所述缓冲层包含一种选自由以下物质组成的群组的物质:二氧化硅(SiO2)、二氧化铪(HfO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化钽(Ta2O5)、二氧化钛(TiO2)、氧化锌(ZnO)、氧化铌(Nb2O5)、氧化钇(Y2O5)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiON)、氮化铝(AlN)、氮氧化铝(AlON)和其组合;且

所述缓冲层以单层形式形成或通过层压两个或两个以上层形成。

6.根据权利要求1所述的有机EL元件,其中所述缓冲层通过重复沉积所述单层缓冲层1-4次来形成。

7.根据权利要求所述1的有机EL元件,其中形成所述缓冲层以具有能够防止溅镀沉积电极期间所述有机层被损坏的厚度。

8.根据权利要求7所述的有机EL元件,其中形成所述缓冲层以具有约10的厚度。

9.一种制造有机电致发光(EL)元件的方法,其包含:

将其上形成电子注入层的衬底装载于反应室中;

使用原子层沉积法在所述电子注入层顶部形成缓冲层;和

在所述缓冲层顶部形成电极。

10.一种制造有机电致发光(EL)元件的方法,其包含:

将其上形成电子转移层的衬底装载于反应室中;

使用原子层沉积法在所述电子转移层顶部形成缓冲层;和

在所述缓冲层顶部形成电子注入层和电极。

11.根据权利要求9或10所述的方法,其中所述缓冲层可包括二氧化硅膜或铁电膜。

12.根据权利要求9或10的方法,其中所述缓冲层通过重复沉积单层所述缓冲层1-4次来形成。

13.根据权利要求9或10所述的方法,其中形成所述缓冲层以具有能够防止溅镀沉积电极期间所述有机层被损坏的厚度。

14.根据权利要求9或10所述的方法,其中形成所述缓冲层以具有约10的厚度。

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