[发明专利]有机电致发光元件和其制造方法无效

专利信息
申请号: 200710194773.8 申请日: 2007-12-06
公开(公告)号: CN101197429A 公开(公告)日: 2008-06-11
发明(设计)人: 崔东权 申请(专利权)人: 周星工程股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人: 孟锐
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 有机 电致发光 元件 制造 方法
【说明书】:

本申请案主张2006年12月6日向韩国知识产权局申请的韩国专利申请案第10-2006-0122965号的优先权,其揭示内容整体以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及电致发光(electroluminescent)(下文称为“EL”)元件和其制造方法,且更确切地说,涉及通过在电子传输层与电子注入层之间或在电子注入层与阴极之间形成缓冲层能够确保大元件中的厚度均一性且改进电性能的有机EL元件,和其制造方法。

背景技术

有机EL元件是继液晶显示器(liquid crystal display,LCD)和等离子体显示板(plasmadisplay panel,PDP)之后具有前景的下一代平板显示器。在有机EL元件中,层压发光有机化合物且向其供应电压以产生电洞和电子,且从而发射光。有机EL元件可称为有机电致发光显示器(organic electroluminescent display,OELD)或有机发光二极管(organiclight emitting diode,OLED)。

虽然LCD通过选择性传输光显示图像且PDP通过等离子体放电显示图像,但有机EL元件通过电致发光机理显示图像。详细来说,在二个电极之间插入有机发光材料,且向电极施加电压。然后,电子和电洞从阳极和阴极注入到有机层中,且彼此复合产生复合能。复合能刺激有机分子发射光。有机EL元件具有自发射性质、广观察角、高清晰度、高质量图像和高速反应。因此,有机EL元件通常应用于小显示器。

在有机EL元件中,电子传输层形成于有机发光层与阴极之间。超过阈值电压,电子从阴极注入电子传输层中。因此,电子注入层形成于电子传输层与阴极之间以增强电子从阴极注入电子传输层。

在相关技术中,电子注入层通常由碱金属的离子键化合物制成,诸如含Li层和含Al层。然而,电子注入层通过一种气相法分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)法沉积,且从而,很难形成具有大面积的元件。也就是说,虽然通过MBE法可获得卓越的结晶度,但很难确保大面积内的厚度均一性。

另外,电子注入层的厚度应控制在约10范围内。然而,很难确保厚度均一性,而同时将沉积厚度控制在10左右。如果厚度均一性降格,那么装置的电性质的均一性也随衬底而降格,例如发生漏电流。

发明内容

本发明的一个方面提供通过在电子传输层与电子注入层之间或电子注入层与阴极之间形成缓冲层而能够改进电性能的有机EL元件,和其制造方法。

本发明的另一个方面提供通过使用原子层沉积法在电子注入层与阴极之间具有缓冲层以改进电子注入层与阴极的界面性质从而改进有机EL元件的电性能的有机EL元件,和其制造方法。

本发明的例示性实施例的有机EL元件包括:有机发光层、电子传输层、电子注入层、形成于衬底顶部的电极和形成于电子传输层与电子注入层之间或电子注入层与电极之间的缓冲层。电极由原子层沉积法形成。

有机EL元件进一步可包括另一电极、电洞注入层和形成于衬底与有机发光层之间的电洞传输层以及形成于有机发光层与电子注入层之间的电子传输层。

缓冲层可包括绝缘层。

缓冲层可包括二氧化硅膜或铁电膜。

缓冲层可选自二氧化硅(SiO2)、二氧化铪(HfO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化钽(Ta2O5)、二氧化钛(TiO2)、氧化锌(ZnO)、氧化铌(Nb2O5)、氧化钇(Y2O5)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiON)、氮化铝(AlN)、氮氧化铝(AlON)和其组合。缓冲层可以单层形式形成或通过层压两个或两个以上层形成。

缓冲层可通过使用原子层沉积法形成。

缓冲层可通过重复沉积单层缓冲层1-4次来形成。

缓冲层可形成而具有能够防止溅镀沉积电极期间有机层被损坏的厚度。

缓冲层可形成而具有约10的厚度。

制造本发明的例示性实施例的有机EL元件的方法可能包括将其上形成电子注入层的衬底装载于反应室中,通过原子层沉积法在电子注入层的顶部形成缓冲层,和在缓冲层的顶部形成电极。

缓冲层可包括二氧化硅膜或铁电膜。

缓冲层可通过使用原子层沉积法形成。

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