[发明专利]横向MOS晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种装置，包括：

第一器件隔离层，形成于半导体衬底中；

第二器件隔离层，形成于所述半导体衬底中，所述第二器件隔离层具有与所述第一器件隔离层不同的宽度，且所述第二器件隔离层内设置有蚀刻凹槽；

栅极绝缘层，形成于所述蚀刻凹槽中；

栅极电极；形成于所述栅极绝缘层上；以及

源极/漏极区域，水平设置在所述半导体衬底中，并靠近所述栅极电极。

2.如权利要求1所述的装置，其中所述第一器件隔离层与所述第二器件隔离层具有STI结构。

3.如权利要求1所述的装置，其中所述第二器件隔离层的宽度比所述第一器件隔离层和所述栅极电极的组合宽度大。

4.如权利要求1所述的装置，还包含：

层间介电层，形成于包括所述源极/漏极区域和所述栅极电极的所述半导体衬底上；以及

至少一个接触电极，设置在所述层间介电层中，并电性连接至所述栅极电极和所述源极/漏极区域至少其中之一。

5.如权利要求1所述的装置，其中所述层间介电层包括PSG、BSG、BPSG以及USG至少其中之一。

6.一种方法，包括以下步骤：

在半导体衬底中形成具有不同宽度的第一器件隔离层和第二器件隔离层；

在所述第二器件隔离层中形成凹槽；

在蚀刻出的所述凹槽中形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成栅极电极以间隙填充所述凹槽；并且随后

形成至少一个源极/漏极区域，所述至少一个源极/漏极区域水平设置于所述半导体衬底中，并靠近所述栅极电极。

7.如权利要求6所述的方法，其中将所述第一器件隔离层和所述第二器件隔离层形成得具有STI结构。

8.如权利要求6所述的方法，其中所述第二器件隔离层的宽度比所述第一器件隔离层和所述栅极电极的组合宽度大。

9.如权利要求6所述的方法，其中将所述源极/漏极区域形成得具有LDD结构。

10.如权利要求6所述的方法，其中在形成所述至少一个源极/漏极区域之后，还包含以下步骤：

在所述栅极电极和所述源极/漏极区域至少其中之一上形成硅化物膜。

11.如权利要求10所述的方法，还包含以下步骤：

在所述半导体衬底上方形成层间介电层，其中所述半导体衬底包括在所述栅极电极和所述源极/漏极区域至少其中之一上形成的所述硅化物膜；以及

在所述层间介电层中形成至少一个接触孔；

在垂直地且电性地连接至所述栅极电极和所述源极/漏极区域其中之一的所述至少一个接触孔中形成接触电极。

12.一种方法，包括以下步骤：

在半导体衬底中形成第一器件隔离层和第二器件隔离层；

在所述第二器件隔离层中形成凹槽；

在所述凹槽中形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成栅极电极连接布线以间隙填充所述凹槽；

在所述第二器件隔离层的部分最上表面上形成电性连接至所述栅极电极连接布线的栅极电极；以及随后

形成至少一个源极/漏极区域，所述至少一个源极/漏极区域水平设置于所述半导体衬底中，并靠近所述栅极电极连接布线。

13.如权利要求12所述的方法，其中在形成至少一个源极/漏极区域之后，还包括以下步骤：

在所述栅极电极和所述源极/漏极区域至少其中之一上形成硅化物膜。

14.如权利要求13所述的方法，还包括以下步骤：

在所述半导体衬底上形成层间介电层，其中所述半导体衬底包括在所述栅极电极和所述源极/漏极区域至少其中之一上形成的所述硅化物膜；以及

在所述层间介电层中形成至少一个接触孔；

在垂直地且电性地连接至所述栅极电极和所述源极/漏极区域至少其中之一的所述至少一个接触孔中形成接触电极。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述硅化物膜包括硅化钛。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述层间介电层包括PSG、BSG、BPSG以及USG至少其中之一。