[发明专利]半导体装置以及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

衬底；

在所述衬底上的绝缘层；

在所述绝缘层上的岛状单晶半导体层；

接触于所述岛状单晶半导体层的顶面和侧面的栅绝缘层；以及

在所述栅绝缘层上的栅电极，该栅电极被设置以横穿所述岛状单晶半导体层，

其中，对所述栅绝缘层来说，跟接触于所述岛状单晶半导体层的顶面上的区域相比，接触于所述岛状单晶半导体层的侧面的区域的介电常数小。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，对所述栅绝缘层来说，跟接触于所述岛状单晶半导体层的顶面上的区域相比，接触于所述岛状单晶半导体层的侧面且重叠于所述栅电极的区域的介电常数小。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，对所述栅绝缘层来说，跟接触于所述岛状单晶半导体层的顶面上的区域相比，接触于所述岛状单晶半导体层的侧面的区域厚。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述栅绝缘层的厚度满足t1＜t2≤3t1，所述t1为接触于所述岛状单晶半导体层的顶面上的区域的厚度，而所述t2为接触于所述岛状单晶半导体层的侧面的区域的厚度。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅绝缘层包括接触于所述岛状单晶半导体层的顶面的第一绝缘层、以及接触于所述岛状单晶半导体层的侧面的第二绝缘层。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅绝缘层包括接触于所述岛状单晶半导体层的顶面的第一绝缘层、接触于所述岛状单晶半导体层的侧面的第二绝缘层、以及夹在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间的第三绝缘层。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述岛状单晶半导体层的端部的锥形角为45度以上且低于95度。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述衬底为单晶硅衬底。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述绝缘膜为埋氧膜。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体装置为选自包括RFID标签、ID标签、IC标签、IC芯片、RF标签、无线标签、电子标签和无线芯片的组中的一种。

11.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

将SOI衬底的半导体层形成为岛状；

接触于所述岛状半导体层的顶面以及侧面地形成第一绝缘层；

通过将所述第一绝缘层有选择地去掉直至所述岛状半导体层的顶面露出，以形成接触于所述岛状半导体层的侧面的第二绝缘层；

接触于所述岛状半导体层的顶面以及所述第二绝缘层地形成第三绝缘层；

在所述第三绝缘层上横穿所述岛状半导体层地形成栅电极层。

12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中，所述岛状半导体层被形成以使其端部的锥形角为45度以上且低于95度。

13.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

将SOI衬底的半导体层形成为第一岛状半导体层；

接触于所述第一岛状半导体层的顶面以及侧面地形成第一绝缘层；

通过将所述第一绝缘层有选择地去掉直至所述第一岛状半导体层的顶面露出，以形成接触于所述第一岛状半导体层的侧面的第二绝缘层，并且在所述第一岛状半导体层的上层中形成非晶体区域；

去掉所述非晶体区域以形成第二岛状半导体层；

接触于所述第二岛状半导体层以及所述第二绝缘层地形成第三绝缘层；

在所述第三绝缘层上横穿所述第二岛状半导体层地形成栅电极层。

14.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

将SOI衬底的半导体层形成为第一岛状半导体层；

接触于所述第一岛状半导体层的顶面以及侧面地形成第一绝缘层；

通过对所述第一岛状半导体层和所述第一绝缘层进行以垂直方向为主体的各向异性刻蚀，来形成第二岛状半导体层和接触于所述第二岛状半导体层的侧面的第二绝缘层；

形成接触于所述第二岛状半导体层和所述第二绝缘层的第三绝缘层；

在所述第三绝缘层上横穿所述第二岛状半导体层地形成栅极层。