[发明专利]电子器件的制造方法及适合于该制造方法的涂布液有效
申请号: | 200710197103.1 | 申请日: | 2007-12-04 |
公开(公告)号: | CN101197424A | 公开(公告)日: | 2008-06-11 |
发明(设计)人: | 汤本彻 | 申请(专利权)人: | 旭化成株式会社 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L51/56;H01L51/48;C09D7/12 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 段承恩;田欣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子器件 制造 方法 适合于 涂布液 | ||
1.一种电子器件的制造方法,是层叠有至少两层以上的含有有机物的层的电子器件的制造方法,其特征在于,使用含有有机物及金属和/或金属氧化物的涂布液A形成第一层即混合层,然后使用含有有机物的涂布液B来层叠形成第二层。
2.如权利要求1所述的电子器件的制造方法,其特征在于,上述电子器件,在一对电极之间层叠有至少两层以上的含有有机物的层;
该制造方法包括:
在上述一对电极的一方的电极上直接涂布或通过介有其它层来涂布含有有机物及金属和/或金属氧化物的涂布液A,从而制膜形成第一层即混合层的第一工序,和
在通过该第一工序制膜形成的混合层上直接涂布含有有机物的涂布液B,从而制膜形成第二层的有机层的第二工序。
3.如权利要求2所述的电子器件的制造方法,其特征在于,上述一对电极的至少一方的电极是ITO;
该制造方法包括:
在上述ITO电极上直接涂布含有有机物及金属和/或金属氧化物的涂布液A,从而制膜形成第一层即混合层的第一工序,和
在通过该第一工序制膜形成的混合层上直接涂布含有有机物的涂布液B,从而制膜形成第二层的有机层的第二工序。
4.如权利要求1~3的任一项所述的电子器件的制造方法,其特征在于,上述有机物为有机半导体。
5.如权利要求4所述的电子器件的制造方法,其特征在于,上述涂布液A中所含的有机半导体为选自空穴注入材料、空穴输送材料、空穴注入输送材料中的任一种。
6.如权利要求4所述的电子器件的制造方法,其特征在于,上述涂布液A中所含的有机半导体为选自电子注入材料、电子输送材料、电子注入输送材料中的任一种。
7.如权利要求4所述的电子器件的制造方法,其特征在于,上述涂布液A中所含的有机半导体为空穴电子输送材料。
8.如权利要求1所述的电子器件的制造方法,其特征在于,上述涂布液A中所含的金属使用铟、锡、锌、钛中的任一种以上。
9.如权利要求8所述的电子器件的制造方法,其特征在于,上述涂布液A中所含的金属使用铟、锡中的任一种以上。
10.如权利要求1所述的电子器件的制造方法,其特征在于,上述涂布液A中所含的金属氧化物是铟氧化物、锡氧化物、铟锡氧化物、锌氧化物、铟锌氧化物、钛氧化物及在这些氧化物中的任一种中掺杂金属而形成的氧化物中的任一种。
11.如权利要求10所述的电子器件的制造方法,其特征在于,上述涂布液A中所含的金属氧化物是铟氧化物、锡氧化物、铟锡氧化物中的任一种。
12.如权利要求1所述的电子器件的制造方法,其特征在于,上述涂布液B中所含的有机物为发光材料。
13.如权利要求1所述的电子器件的制造方法,其特征在于,上述涂布液A和涂布液B中使用的溶剂为有机溶剂。
14.如权利要求1所述的电子器件的制造方法,其特征在于,上述电子器件是有机电致发光元件。
15.如权利要求1所述的电子器件的制造方法,其特征在于上述电子器件是有机薄膜太阳能电池。
16.一种涂布液,是适合于形成电子器件的1个含有有机物的层的涂布液,其特征在于,含有有机物及金属和/或金属氧化物,所述有机物由有机半导体材料构成,并且该有机物的含量相对于溶剂以外的固形物的重量,为20重量%~80重量%。
17.一种涂布液,是适合于形成电子器件的1个含有有机物的层的涂布液,其特征在于,含有有机物及金属和/或金属氧化物,所述有机物由空穴注入材料或空穴输送材料或具有这两种材料的功能的空穴注入输送材料构成,并且该有机物的含量相对于溶剂以外的固形物的重量为20重量%~80重量%。
18.一种涂布液,是适合于形成电子器件的1个含有有机物的层的涂布液,其特征在于,含有有机物及金属和/或金属氧化物,所述有机物由电子注入材料或电子输送材料或具有这两种材料的功能的电子注入输送材料构成,并且该有机物的含量相对于溶剂以外的固形物的重量,为20重量%~80重量%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择