[发明专利]制造具有垂直沟道晶体管的半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造具有垂直沟道晶体管的半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成多个柱状物，其中在所述多个柱状物上形成硬掩模图案并且所述多个柱状物在第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向上对齐；

在所述柱状物之间的衬底上形成位线杂质区域；

在所得结构的整个区域上形成绝缘层，其中所述所得结构包括所述多个柱状物和所述位线杂质区域；

在所述绝缘层上形成掩模图案，以暴露在所述第一方向上对齐的所述多个柱状物之间的衬底；

利用所述掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述绝缘层，以形成用于暴露所述衬底的开口；

在所述开口的侧壁形成隔离物以减小通过所述开口暴露的所述衬底的宽度；和

通过蚀刻具有由所述隔离物减小了宽度的所述暴露的衬底来形成隔离沟槽。

2.权利要求1的方法，还包括平坦化所述绝缘层。

3.权利要求1的方法，其中所述掩模图案包括狭缝，所述狭缝用于暴露在所述第一方向上对齐的所述多个柱状物之间的所述衬底。

4.权利要求3的方法，其中所述狭缝具有小于在所述第一方向上对齐的所述柱状物之间间隔的宽度。

5.权利要求3的方法，其中所述开口和所述隔离沟槽形成狭缝。

6.权利要求1的方法，其中形成所述隔离物包括：

在包括所述开口的所得结构的整个区域上形成用于所述隔离物的绝缘层；和

各向异性蚀刻所述绝缘层以形成所述隔离物。

7.权利要求6的方法，其中用于所述隔离物的所述绝缘层具有的厚度。

8.权利要求6的方法，其中用于所述隔离物的所述绝缘层在所得结构的整个区域上具有均匀的厚度。

9.权利要求1的方法，其中所述隔离沟槽的宽度和深度设定在预定范围内，使得被掩埋的位线彼此隔开。

10.权利要求1的方法，其中所述隔离沟槽的深度为

11.权利要求1的方法，其中在通过蚀刻衬底形成所述隔离沟槽时，使用相对于所述隔离物具有更高选择性比的气体。

12.权利要求11的方法，其中所述气体包括选自氯(Cl₂)、溴化氢(HBr)、三氯化硼(BCl₃)及其组合中的一种。

13.权利要求1的方法，还包括形成围绕每个柱状物的下部外围表面的围绕栅电极。

14.权利要求13的方法，其中使每个柱状物的所述下部外围表面对应于所述围绕栅电极的厚度形成凹陷。

15.权利要求13的方法，还包括：

形成字线以与所述围绕栅电极电连接，其中所述字线在所述第二方向上延伸；

通过除去形成在所述柱状物上的所述硬掩模图案暴露每个柱状物；和

在所述暴露的柱状物上形成存储电极。

16.权利要求1的方法，其中蚀刻具有由所述隔离物减小了宽度的所述暴露的衬底包括限定在所述第一方向上延伸的掩埋的位线，所述掩埋的位线围绕所述柱状物。