[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
申请号: | 200710198993.8 | 申请日: | 2007-12-11 |
公开(公告)号: | CN101236889A | 公开(公告)日: | 2008-08-06 |
发明(设计)人: | 岸本卓也;宫胜彦 | 申请(专利权)人: | 大日本网目版制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B08B3/04;C03C23/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐恕 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
1.一种基板处理装置,向基板的表面周边部位供给处理液,对该表面周边部位实施给定的表面处理,其特征在于,
包括:
基板保持装置,其以将基板表面朝上的状态对该基板进行保持;
对置部件,其与所述基板保持装置所保持的基板的表面相向并隔开一定距离而配置,而且设置有喷嘴插入孔,该喷嘴插入孔在与所述基板表面相向的基板对置面上具有开口部;
喷嘴,其在插入到所述喷嘴插入孔中的状态下沿着从所述喷嘴插入孔朝向所述基板的表面周边部位的液喷出方向喷出所述处理液,将所述处理液供给到所述表面周边部位,
在所述喷嘴插入孔中设置有导引机构,该导引机构在所述开口部附近将附着在所述喷嘴插入孔中的所述处理液的液滴向所述液喷出方向一侧引导。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述导引机构具有:
扩张部位,其是使所述开口部之中相对于插入到所述喷嘴插入孔中的所述喷嘴的所述液喷出方向一侧的开口部位向所述液喷出方向一侧扩张而成;
倾斜部位,其设置为,在所述喷嘴插入孔的内壁面之中相对于所述喷嘴的所述液喷出方向一侧,从所述喷嘴插入孔的中央部位向所述扩张部位倾斜,并远离所述基板的表面中央一侧。
3.如权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板对置面具有与所述基板表面近似相同或更大的平面尺寸,覆盖所述基板的整个表面,而且,所述扩张部位超出所述基板的表面周边部位而向着所述基板的径向侧延伸设置。
4.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
向所述液喷出方向喷出的所述处理液能够以液滴状态从所述基板的表面周边部位向所述喷嘴插入孔移动;
所述导引机构包括有沟部,该沟部在所述开口部之中的液喷出方向一侧开口部位的附近,相对于所述喷嘴插入孔而向着所述液滴的移动方向延伸设置,该液喷出方向一侧开口部位位于相对于插入到所述喷嘴插入孔中的所述喷嘴的所述液喷出方向一侧。
5.如权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板对置面具有与所述基板表面近似相同或更大的平面尺寸,覆盖着所述基板的整个表面,而且,所述沟部超出所述基板的表面周边部位而向着所述基板的径向侧延伸设置。
6.如权利要求1至5的任意一项所述的基板处理装置,其特征在于,
还包括使所述基板保持装置所保持的基板旋转的旋转装置。
7.一种基板处理方法,其特征在于,包括:
基板保持工序,以将基板的表面朝上的状态对该基板进行保持;
配置工序,与所述基板的表面相对并间隔一定距离而配置对置部件;
插入工序,将喷嘴插入到设置在所述对置部件上的喷嘴插入孔中;
供给工序,沿从所述喷嘴插入孔朝向所述基板的表面周边部位的液喷出方向从所述喷嘴喷出所述处理液,并将该处理液供给到所述表面周边部位,对所述表面周边部位实施给定的表面处理,
在所述供给工序中,与所述表面处理同时执行,而将从所述基板的表面周边部位移动到所述喷嘴插入孔中的所述处理液的液滴向所述液喷出方向一侧引导。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造