[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
申请号: | 200710198993.8 | 申请日: | 2007-12-11 |
公开(公告)号: | CN101236889A | 公开(公告)日: | 2008-08-06 |
发明(设计)人: | 岸本卓也;宫胜彦 | 申请(专利权)人: | 大日本网目版制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B08B3/04;C03C23/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐恕 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种向半导体晶片、光掩模用玻璃基板、液晶显示用玻璃基板、等离子显示用玻璃基板、FED(Field Emission Display:场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板等基板的表面的周边部位供给处理液,对该表面周边部位实施给定的表面处理的基板处理装置以及基板处理方法。
背景技术
在对半导体晶片等基板实施一系列处理的制造工艺中,为了在基板表面上形成各种薄膜,需要执行成膜工序。在该成膜工序中,有时候也会在基板的背面或基板表面的周边部位形成薄膜。但是,基板上需要形成薄膜的通常只是基板表面的中央部位的电路形成区域,一旦在基板的背面或基板表面的周边部位形成薄膜,就会引起下列问题。即,在成膜工序的后续工序中,形成在基板表面的周边部位的薄膜会因为与其他装置的接触而剥落。继而,剥落的薄膜附着在基板表面的中央部位的电路形成区域或基板处理装置上,会引起制成品的成品率下降及基板处理装置本身的故障。
因此,为了除去基板背面和基板表面的周边部位上形成的薄膜,人们提出了例如专利文献1中所记载的装置。在该装置中,以从旋转基座向上方突出的方式设置有支承部,其与基板的背面周边部位接触地对基板进行支承,使表面上形成有薄膜的基板被保持为基板表面朝上的水平状态。此外,从配置在基板上方的环境气体遮断板(相当于本发明中的“对置部件”)向基板的表面上在环境气体遮断板和基板之间形成的空间中供给惰性气体,由此将基板向支承部按压,使基板被保持在旋转基座上,在这种状态下使基板旋转。另外,向设置在环境气体遮断板的周边部位的喷嘴插入孔中插入喷嘴,从该喷嘴向旋转中的基板的表面周边部位供给用作处理液的药液。由此,将附着在基板表面周边部位的多余物质蚀刻除去。进而,向旋转中的基板表面供给用作处理液的药液。由此,药液扩散到整个基板背面,将基板背面的多余物质蚀刻除去。这样一来,仅将基板背面和基板表面的周边部位的薄膜蚀刻除去。
专利文献1:JP特开2006-41444号公报(图1)
在这种结构的装置中,药液等处理液被供给到基板的表面周边部位,该处理液的一部分有时候会以液滴状态从该表面周边部位向喷嘴插入孔移动并发生附着。处理液的液滴一旦残留在喷嘴插入孔中,在所述处理中该液滴就有可能飞溅到表面中央部位并发生附着。另外,因处理液种类的不同,有的液滴会变为固体状态,会成为造成颗粒污染的元凶。
发明内容
本发明是借鉴了所述课题而提出的,其目的是提供一种基板处理装置及方法,能够将由基板表面周边部位附着到喷嘴插入孔中的处理液的液滴从该喷嘴插入孔排出,避免受到该液滴的不良影响,从而对基板的表面周边部位进行良好的处理。
本发明的基板处理装置是一种向基板的表面周边部位供给处理液、对该表面周边部位实施给定的表面处理的装置,为实现所述目的,其特征在于包括:基板保持装置,其以将基板表面朝上的状态对该基板进行保持;对置部件,其与基板保持装置所保持的基板的表面相向并隔开一定距离而配置,并且设置有喷嘴插入孔,该喷嘴插入孔在与基板表面相向的基板对置面上具有开口部;喷嘴,其在插入到喷嘴插入孔中的状态下沿着从喷嘴插入孔朝向基板的表面周边部位的液喷出方向喷出处理液,将处理液供给到表面周边部位,在喷嘴插入孔中设置有导引机构,该导引机构在开口部附近将附着在喷嘴插入孔中的处理液的液滴向液喷出方向一侧引导。
另外,本发明的基板处理方法,为实现所述目的,其目的在于包括:基板保持工序,以将基板的表面朝上的状态对该基板进行保持;配置工序,与基板的表面相对并间隔一定距离地配置对置部件;插入工序,将喷嘴插入到设置在对置部件上的喷嘴插入孔中;供给工序,沿从喷嘴插入孔朝向基板的表面周边部位的液喷出方向从喷嘴喷出处理液,并将该处理液供给到表面周边部位,对表面周边部位实施给定的表面处理,在供给工序中,与表面处理同时执行,而将从基板的表面周边部位移动到喷嘴插入孔中的处理液的液滴向液喷出方向一侧引导。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造