[发明专利]凹槽蚀刻方法

权利要求书

1.一种用于蚀刻基片的方法，包括：

提供具有在其上形成的结构的基片；

使用第一蚀刻工艺在至少部分地位于结构下面的基片中形成凹槽；

在基片上形成选择性钝化层；

使用第二蚀刻工艺在基片中延伸凹槽。

2.如权利要求1所述的方法，其特征是在基片中的临近结构但基本不在凹槽中的区域上形成选择性钝化层。

3.如权利要求1所述的方法，其特征是第一蚀刻工艺包括：

提供包括三氟化氮(NF₃)和，可选地，氯气(Cl₂)、氧气(O₂)或惰性气体中的至少一种的加工气体。

4.如权利要求1所述的方法，其特征是选择性钝化层包括通过将基片暴露于至少包括氧气(O₂)或氦-氧(He-O₂)的含氧气体的等离子体形成氧化物层。

5.如权利要求1所述的方法，其特征是形成选择性钝化层包括：

将基片暴露于至少包括碳基气体、聚合物形成气体或三氯化硼(BCl₃)中的一种的钝化气体的等离子体。

6.如权利要求5所述的方法，其特征是钝化气体包括二氟甲烷(CH₂F₂)。

7.如权利要求1所述的方法，其特征是形成选择性钝化层包括：

将基片暴露于等离子体；

将偏压功率施加到支撑基片的基片支撑基架。

8.如权利要求1所述的方法，其特征是栅极结构具有大约320埃或更小的宽度，并且其中将凹槽在基片中延伸包括：

将凹槽蚀刻到至少大约150埃的深度。

9.如权利要求1所述的方法，还包括：

在基片上重复形成选择性钝化层并且使用第二蚀刻工艺将凹槽在基片中延伸，直到达到预期凹槽深度。

10.如权利要求1所述的方法，还包括：

在基片顶上和凹槽内形成应变控制层。

11.如权利要求10所述的方法，其特征是应变控制层包括硅和锗层或硅和碳层。

12.一种用于蚀刻基片的方法，包括：

提供具有在其上形成的定形掩模层的基片；

使用第一蚀刻工艺通过定形掩模将特征蚀刻到基片中；

在特征的侧壁上形成保护层；

去除保护层的底部，以便暴露基片；

使用第二蚀刻工艺将空腔蚀刻到基片中。

13.如权利要求12所述的方法，其特征是第一蚀刻工艺包括：

至少提供一种含卤素加工气体；

使用在大约200-1200瓦的源功率从加工气体形成等离子体。

14.如权利要求12所述的方法，其特征是形成保护层包括：

将基片暴露于从含氧气体和一种或多种惰性气体形成的等离子体，以便在特征内形成氧化物层。

15.如权利要求14所述的方法，还包括：

提供在大约100-500sccm之间的O₂和在大约100-300sccm之间的Ar；

使用在大约500-1500瓦的源功率从加工气体形成等离子体。