[发明专利]溅镀载台

说明书

技术领域

本发明涉及一种溅镀载台，尤其是一种可自动翻转实现双面镀膜的溅镀载台。

背景技术

溅镀是通过离子碰撞而获得薄膜的一种工艺，主要分为两类：阴极溅镀(参见Advanced Semiconductor Devices and Microsystems，2000.ASDAM2000.The Third International Euro Conference on Oct.16-182000，page(s)：151-155)和射频溅镀。

阴极溅镀一般用于溅镀导体如铝(Al)、银(Ag)或半导体如硅(Si)。射频溅镀一般用于溅镀非导体如ZnS-SiO2、GesbTe。由于溅镀可以同时达成较佳的沉积效率、精确的成份控制、以及较低的制造成本，因此在工业上被广泛应用。

溅镀一般是在溅镀机中完成，溅镀机一般包括反应室、溅镀阴极、基座与载具。溅镀阴极设置在反应室内，且具有溅镀靶。基座置于反应室内并相对于溅镀靶，用于承载被镀物。载具用于将被镀物送入反应室内。溅镀是在反应室中利用辉光放电(glow discharge)将氩气(Ar)离子撞击靶材(target)表面产生等离子体，再利用磁场或电场等加速方式，使得等离子体中的离子对溅镀靶进行轰击，以造成溅镀靶表面的靶材原子溅出飞向被镀物，并在被镀物表面形成一层薄膜。

在目前的溅镀制程中，欲对被镀物双面镀膜时，多以手动翻转被镀物进行换面，此种做法不仅浪费时间而且破坏溅镀机反应室的真空环境。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种可自动翻转实现双面镀膜的溅镀载台。

一种溅镀载台，用于承载被镀物以进行溅镀制程，其包括本体和承载体，所述本体为由第一边框、第二边框、第三边框和第四边框组成的中空框体，所述第一边框和第三边框相对设置且分别设置有长形凹槽，所述第二边框和第四边框相对设置且分别设置有线圈，所述承载体为由第五边框、第六边框、第七边框和第八边框组成的中空框体，所述第五边框与第七边框相对设置且分别向远离承载体的方向形成突块，所述突块活动地设置在所述凹槽内，所述突块靠近所述第六边框或第八边框，所述第六边框或者第八边框上设有磁铁。

与现有技术相比，本发明实施例的溅镀载台利用通电的线圈产生磁场，使得承载体翻转以达到翻转被镀物、实现自动换面的目的，进而实现双面镀膜。

附图说明

图1是本发明实施例溅镀载台组合示意图。

图2是本发明实施例溅镀载台分离示意图。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明作进一步详细说明。

如图1所示，其为本发明实施例提供的溅镀载台10。该溅镀载台10包括本体12、承载体14和固定件16。固定件16将被镀物20固定在承载体14上以进行溅镀制程。

请参阅图2，本体12为由第一边框121、第二边框122、第三边框123、第四边框124围成的中空框体。其中，第一边框121与第三边框123相对设置，第二边框122与第四边框124相对设置。

第一边框121、第三边框123朝向本体12内部的一面凹陷分别形成凹槽125。

第二边框122、第四边框124朝向本体12内部的一面上分别设有定位槽126，定位槽126可以设置在第二边框122、第四边框124的中心处，也可以设置在偏离中心位置处。

第二边框122和第四边框124由铁镍合金或者铁钴合金制成，第二边框122上设有第一线圈127，第四边框124上设有第二线圈128。当第一线圈127、第二线圈128有电流流过时，第一线圈127、第二线圈128周围产生磁场，磁场的方向可由安培定则判断得出，大拇指所指的方向为第一线圈127、第二线圈128内部的磁感线方向，四指所指的方向是电流环绕方向。

承载体14为由第五边框141、第六边框142、第七边框143、第八边框144围成的中空框体，承载体14的面积小于本体12以使其活动地设置本体12中且可在本体12内运动。其中，第五边框141与第七边框143相对设置，第六边框142与第八边框144相对设置。

第五边框141与第七边框143分别向相反且远离承载体14的方向突出形成圆柱形突块145，突块145偏离承载体14的几何中心，即突块145靠近第八边框144且与第六边框142的距离相等，以使承载体14在重力作用下可以翻转。突块145滑动地设置在凹槽125中。为使承载体14在本体12内翻转，第二边框122与第四边框124之间的距离大于等于两倍的突块145与第六边框142之间的距离。

当然，突块145也可以靠近第六边框142。