[发明专利]光源模组及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200710203150.2 申请日: 2007-12-17
公开(公告)号: CN101465347A 公开(公告)日: 2009-06-24
发明(设计)人: 江文章 申请(专利权)人: 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/00;H01L23/38;H01L21/50;F21V29/00;F21Y101/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201600上海市松江区松*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 光源 模组 及其 制造 方法
【权利要求书】:

【权利要求1】一种光源模组,其包括:

至少一个发光二极管芯片,该至少一发光二极管芯片为光源;以及

一个热电制冷器,所述热电制冷器包括一热端基板、一冷端基板以及设置于所述热端基板和冷端基板之间的若干个热电制冷单元,所述冷端基板具有一第一表面和一与所述第一表面相对的第二表面,所述发光二极管芯片设置于所述冷端基板的第一表面,所述若干个热电制冷单元设置于所述冷端基板的第二表面。

【权利要求2】如权利要求1所述的光源模组,其特征在于,每个热电制冷单元包括一对串联的P型半导体元件和N型半导体元件。

【权利要求3】如权利要求1所述的光源模组,其特征在于,所述若干个热电制冷单元串联于一直流电流供电电路。

【权利要求4】如权利要求1所述的光源模组,其特征在于,所述若干个热电制冷单元均匀间隔地分布在所述冷端基板的第二表面。

【权利要求5】如权利要求1所述的光源模组,其特征在于,所述若干个热电制冷单元分别独立连接到若干个直流电流供电电路。

【权利要求6】如权利要求2所述的光源模组,其特征在于,所述半导体为Bi-Te系、Sb-Te系、Bi-Se系、Pb-Te系、Ag-Sb-Te系、Si-Ge系、Fe-Si系、Mn-Si系或者Cr-Si系化合物半导体。

【权利要求7】如权利要求1所述的光源模组,其特征在于,所述光源模组进一步具有一散热器,所述散热器与所述热端基板热连接。

【权利要求8】一种光源模组的制造方法,其包括以下步骤:

(1)提供一第一基板,在所述第一基板的一表面生长形成至少一个发光二极管芯片;

(2)将所述至少一个发光二极管芯片贴附于一第二基板的一第一表面,并移除所述第一基板;

(3)在所述第二基板的第一表面形成导电线路;

(4)在所述冷端基板的一与第一表面相对的第二表面上依次设置若干热电制冷单元和第三基板,所述第二基板、若干热电制冷单元和第三基板构成一个热电制冷器;

(5)封装所述若干个发光二极管芯片。

【权利要求9】如权利要求8所述的光源模组的制造方法,其特征在于,所述第一基板为蓝宝石基板、碳化硅基板、三五族化合物基半导体基板或者二六族化合物基半导体基板,所述生长形成发光二极管芯片的方法为外延生长。

【权利要求10】如权利要求8所述的光源模组的制造方法,其特征在于,所述冷端基板为表面镀有二氧化硅的半导体硅基板、表面经过阳极氧化处理的铝复合基板或者电绝缘且导热的陶瓷基板。

【权利要求11】如权利要求8所述的光源模组的制造方法,其特征在于,采用激光剥离或者蚀刻研磨的方法将所述第一基板移除。

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