[发明专利]光掩模及薄膜晶体管基板的制造方法

权利要求书

1.一种光掩模，用以制造一薄膜晶体管基板，该光掩模具有一第一曝光区、一第二曝光区及一第三曝光区，该第二曝光区位于该第一曝光区及该第三曝光区之间，其特征在于，该光掩模包括：

一第一周边线路图案，位于该第一曝光区；

一第一虚拟引线图案，位于该第一曝光区，并邻接于该第一周边线路图案；

一第一重合像素图案，位于该第一曝光区，并邻接于该第一虚拟引线图案；以及

一第二重合像素图案，位于该第二曝光区，该第一重合像素图案与该第二重合像素图案互补，其中该第一重合像素图案与该第二重合像素图案重迭曝光后，该第一曝光区与该第二曝光区所曝光的图案相互接合。

2.根据权利要求1所述的光掩模，其特征在于，还包含：

一第三重合像素图案，位于该第二曝光区；

一第二周边线路图案，位于该第三曝光区；

一第二虚拟引线图案，位于该第三曝光区，并邻接于该第二周边线路图案；以及

一第四重合像素图案，位于该第三曝光区，并邻接于该第二虚拟引线图案，该第四重合像素图案与该第三重合像素图案互补，其中该第四重合像素图案与该第三重合像素图案重迭曝光后，该第二曝光区与该第三曝光区所曝光的图案相互接合。

3.根据权利要求2所述的光掩模，其特征在于，还包含：

一第五重合像素图案，位于该第二曝光区，并邻接于该第二重合像素图案的外侧，并与该第三重合像素图案互补；以及

一第六重合像素图案，位于该第二曝光区，并邻接于该第三重合像素图案的外侧，并与该第二重合像素图案互补，其中该第五重合像素图案与该第三重合像素图案重迭曝光且该第六重合像素图案与该第二重合像素图案重迭曝光后，该第二曝光区所曝光的二次图案相互接合。

4.根据权利要求1所述的光掩模，其特征在于，该光掩模通过一遮光板遮蔽部分的区域，并以一光束进行曝光，该第一虚拟引线图案的宽度大于或等于该遮光板的最小移动距离及该光束绕射范围之和。

5.根据权利要求1所述的光掩模，其特征在于，该第一虚拟引线图案的宽度小于或等于该第一重合像素图案或该第二重合像素图案的宽度。

6.根据权利要求1所述的光掩模，其特征在于，该第一虚拟引线图案的宽度为1～5公厘。

7.根据权利要求1所述的光掩模，其特征在于，该第一虚拟引线图案包含数据线图案。

8.根据权利要求1所述的光掩模，其特征在于，该第一虚拟引线图案包含扫描线图案。

9.一种薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

提供一光掩模，该光掩模具有一第一曝光区、一第二曝光区及一第三曝光区，该第二曝光区位于该第一曝光区及该第三曝光区之间，该光掩模包括一第一周边线路图案、一第一虚拟引线图案、一第一重合像素图案及一第二重合像素图案，该第一周边线路图案位于该第一曝光区，该第一虚拟引线图案位于该第一曝光区，并邻接于该第一周边线路图案，该第一重合像素图案位于该第一曝光区，并邻接于该第一虚拟引线图案，该第一重合像素图案与该第二重合像素图案互补；

形成一光刻胶层于该基板上；

以该第一周边线路图案、该第一虚拟引线图案及该第一重合像素图案曝光该光刻胶层；

以该第二重合像素图案曝光该光刻胶层，该第二重合像素图案重迭曝光于该第一重合像素图案的位置；

图案化该光刻胶层；以及

以该光刻胶层为屏蔽蚀刻该基板，以形成多个周边线路图案及多个像素图案。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，该光掩模还包含一第三重合像素图案、一第二周边线路图案、一第二虚拟引线图案及一第四重合像素图案，该第三重合像素图案位于该第二曝光区，该第二周边线路图案位于该第三曝光区，该第二虚拟引线图案位于该第三曝光区，并邻接于该第二周边线路图案，该第四重合像素图案位于该第三曝光区，并邻接于该第二虚拟引线图案，该第四重合像素图案与该第三重合像素图案互补，该薄膜晶体管基板的制造方法还包含：

以该第三重合像素图案曝光该光刻胶层；以及

以该第二周边线路图案、该第四重合像素图案及该第二虚拟引线图案曝光该光刻胶层，该第四重合像素图案重迭曝光于该第三重合像素图案的位置。